Слой - объемный заряд
Cтраница 1
Слой объемного заряда, изменения в котором определяют собой нарастание и падение тока через контакт, называется запорным или барьерным слоем; направление сильного тока ( от металла к полупроводнику) называется прямым направлением или направлением пропускания, противоположное направление - обратным или запорным. [1]
Слой объемного заряда, расположенный по обе стороны границы раздела, называется запирающим, так как в нем имеется очень небольшое количество подвижных носителей заряда, которые могли бы создавать электрический ток, и сопротивление его велико. [2]
Толщина слоя объемного заряда с ростом отрицательного напряжения на затворе изменяется незначительно. [3]
 |
Плавный р-я-переход. [4] |
Толщина слоя объемного заряда согласно (8.32) тем больше, чем ниже концентрация основных носителей, равная концентрации легирующей примеси. При этом глубина проникновения контактного поля больше в ту область полупроводника, которая легирована слабее. [5]
Толщина слоя объемного заряда в / г-базе силовых диодов достигает десятков и сотен микрометров. [6]
Толщину слоя объемного заряда Won в (13.77) для расчета плотности заряда Qjt, обусловленного обратным смещением перехода / I, определяют по (13.48) при UD & UR, где 1 / д - обратное напряжение, прикладываемое к тиристору в процессе выключения. [7]
В результате слои объемного заряда трех переходов изменяются от состояния, показанного на фиг. [8]
Суммарная толщина слоя объемного заряда р - n перехода в равновесном состоянии, равная ха - - ха, составит доли или единицы микрометра. [9]
На границе слоя объемного заряда u ( w) 0 и ш2 / п ( - Un) / 2, где иа - поверхностный потенциал, изменяющийся во времени и стремящийся к своему равновесному значению. [10]
В мощных диодах слой объемного заряда захватывает в основном i-область, где концентрация носителей наименьшая и толщина перехода соответственно увеличивается. Поэтому мощные диоды способны выдерживать большие обратные напряжения. [11]
Теперь, поскольку слой объемного заряда достаточно узок, можно предположить, что внутри слоя нет заметной рекомбинации. Если это не так, то следует видоизменить теорию. [12]
 |
Соотношение ширины областей объемного заряда в электронной и дырочной частях полупроводника. [13] |
В этом случае слой объемного заряда в области с высокой концентрацией будет значительно тоньше, чем в области с низкой концентрацией. Области равных по величине объемных зарядов показаны условно штриховкой на рис. II 1.9. Толщины слоев этих объемных зарядов обозначены xAi и xDi соответственно. [14]
Если же толщина слоя объемного заряда меньше длины свободного пробега, электроны в обедненной области не испытывают столкновений. Из полупроводника в металл могут перейти электроны, кинетическая энергия которых достаточна для преодоления потенциального контактного барьера. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5