Слой - объемный заряд
Cтраница 4
Таким образом, если на контакте полупроводника с металлом образуется слой объемного заряда, то контакт будет обладать свой-сгвами выпрямителя электрического тока, так как при одном знаке приложенного внешнего напряжения сопротивление контакта велико, а при другом - мало. [47]
Строго говоря, со стороны металла тоже должен существовать некоторый слой объемного заряда, аналогичный диффузной части двойного слоя в электролите. В металле, где концентрация носителей заряда достигает 102 моль / л и выше, этим влиянием можно пренебречь, но в полупроводнике оно может быть весьма велико. [48]
Изменение Я12 при наличии приложенной разности потенциалов вызывает изменение толщины слоя объемного заряда в полупроводнике. [49]
Ширину высокоомного коллектора ик под коллекторным переходом выбирают больше ширины слоя объемного заряда на коллекторном переходе, распространяющейся в сторону коллектора при максимальном обратном смещении: ок Д кк. [50]
Большое значение имеет соотношение толщины варизонной структуры и суммы ширины слоя объемного заряда на контакте с металлом и диффузионно-дрейфовой длины носителей заряда. [51]
Такое же явление наблюдается ив n - области после возникновения слоя объемного заряда. Слой отрицательно заряженных ионов препятствует диффузии электронов из л-области в р-область и содействует переходу дырок ( неосновных носителей) из - области в р-область. [52]
В результате контакта двух областей полупроводника с разным типом проводимости появляется слой объемного заряда, часто называемый обедненным слоем, так как в этом слое концентрация носителей тока очень мала. [53]
Для перехода с линейным распределением примесей при повышении прямого смещающего напряжения слой объемного заряда становится тоньше. [54]
 |
Энергетическая диаграмма гетероперехода. [55] |
Если в р - п переходе используются вырожденные полупроводники и толщина слоя объемного заряда р - п перехода мала, то появляется новый механизм прохождения тока - туннелирование через потенциальный барьер. Это явление приводит к интересным особенностям ВАХ такого перехода и используется в туннельных и обращенных диодах. [56]
Двойной электрический слой может быть представлен в виде трех составляющих: слоя объемного заряда в диэлектрике, слоя Гельмгольца и диффузного слоя в электролите. Электрическая емкость такой системы может быть представлена в виде плоского конденсатора, обкладки которого имеют диффузное строение. [57]
Разрешающая способность измерений, зависящая от диаметра подвижного зонда и толщины слоя объемного заряда вокруг него, составляла в наших опытах десятые доли миллиметра. Ошибка, связанная с неточностью системы перемещения зонда, еще больше ухудшала разрешающую способность. Поэтому в высокочастотном раз ряде, где толщина слоя объемного разряда у электрода очень мала, получить ход потенциала в этом слое не удалось. [59]
 |
Структура поверхностного слоя германия ( а и расположение быстрых и медленных поверхностных состояний ( изгиб зон у поверхности непоказан ( б. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5