Слой - объемный заряд
Cтраница 3
Для МДП-структур более точные вычисления емкости слоя объемного заряда с учетом влияния основных носителей заряда приводят к результатам, которые справедливы вплоть до границы раздела полупроводник - диэлектрик и включают случай плоских зон. [31]
В [15, 16] показано, что толщина слоя объемного заряда мало меняется при переходе от свободного движения ионов к эстафетному. Следовательно, применение выражения, полученного Энгелем и Штеенбеком [9] для длины области темного катодного пространства, вполне справедливо. [32]
Из (8.51) видно, что толщина слоя объемного заряда тем больше, чем ниже концентрация основных носителей, причем из (8.49) следует, что глубина проникновения контактного поля больше в ту область полупроводника, концентрация носителей в которой меньше. [33]
Однако повышение напряжения Us вызывает расширение слоя объемного заряда вблизи стока и замедление роста тока. При больших напряжениях ток перестает расти. Если на переход подано напряжение, отклонение от линейного закона наблюдается при более низких напряжениях Иг. Ток при этом тоже получается меньше. [34]
 |
Схема устройства полевого транзистора. [35] |
Эту толщину можно менять, изменяя толщину слоя объемного заряда между р - и п-областями. [36]
 |
Сродство к электрону некоторых металлов и кислорода. [37] |
Из-за высокой концентрации электронов в металле толщина слоя объемного заряда мала; и ее можно из рассмотрения исключить. Область объемного заряда в полупроводнике, из которой ушли электроны, определяется глубиной проникновения поля в полупроводник и называется областью обеднения, или истощения. [38]
В соответствии с этим изменяется и толщина слоя объемного заряда. [39]
Электроны, диффундирующие из области коллектора внутрь слоя объемного заряда перехода J2, увлекаются сильным электрическим полем и попадают внутрь области базы. Эту диффузионную составляющую электронного тока можно определить, решив диффузионное уравнение для коллекторной области. [40]
Na - Nd Nd, то практически весь слой объемного заряда лежит в га-области. [41]
 |
Распределение концентраций основных и неосновных носителей тока в слоях р-п - р структуры при работе в усилительном режиме. [42] |
В слаболегированной n - базе на границе со слоем объемного заряда эмиттерного перехода имеет место повышенная концентрация дырок, обусловленная их инжекцией из эмиттерного слоя. [43]
 |
Зонная диаграмма и распределение носителей заряда в пе. [44] |
Если р-л-переход является существенно несимметричным, то полная ширина слоя объемного заряда практически равна ширине слоя в той области полупроводника, в которой концентрация основных носителей меньше. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5