Слой - объемный заряд
Cтраница 2
Для определения толщины слоя объемного заряда в резком р-п переходе используем тот факт, что в этом слое имеются нескомпенсированный электрический заряд, электрическое поле и потенциальный барьер на границе п - и р-областей. За пределами области пространственного заряда электрическое поле, потенциал и нескомпен-сиро анный заряд равны нулю. [16]
Произведенный расчет толщины слоя объемного заряда относится к резкому переходу, в котором концентрация примесей меняется практически скачкообразно. В случае тянутых и диффузионных переходов изменение концентрации примесей в переходе происходит плавно. [17]
Таким образом, создается слой объемного заряда, который поддерживает приложенное напряжение. [18]
По мере стравливания германия слой объемного заряда, возникающий при подаче обратного смещения на р - д-пе-реход, достигает инверсионного р-слоя, образующегося, по мнению авторов, в месте контакта индий - германий. Обратный ток р - n - перехода при этом возрастает. Отметим, что примененный авторами способ контроля весьма труден, так как требует осаждения индия и исключает контроль толщины базы непосредственно в процессе травления. [19]
Последнее связано с расширением слоя объемного заряда в р - и - областях по мере возрастания U -, что приводит к уменьшению сопротивления этих областей. [20]
Рассмотрим емкость, обусловленную слоем объемного заряда в отсутствие поверхностных уровней. [21]
 |
Расчетные зависимости скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии и критического заряда включения тиристора от сопротивления шунтировки перехода / з. [22] |
Рекомбинация неравновесных носителей в слоях объемного заряда прямосмещенных эмиттерных переходов приводит к снижению коэффициентов инжекции и тем самым к увеличению критического заряда включения тиристора. Поэтому du / dtf - стойкость тиристоров возрастает с повышением рекомбинации неравновесных носителей в слоях объемного заряда эмиттерных переходов. [23]
Естественно, что при этом слой объемного заряда со стороны области сплавления имеет ничтожную толщину по сравнению с толщиной слоя объемного заряда в исходной пластинке. [24]
Отсюда видно, что толщина слоя объемного заряда тем больше, чем меньше концентрация носителей тока. При этом, согласно ( 70), контактное поле проникает на большую глубину в ту область, где концентрация носителей меньше. [25]
Падение напряжения вследствие высокого сопротивления слоя объемного заряда, простирающегося от х - - da до xdb, будет иметь место почти исключительно в этой области. Тогда приближение, согласно которому электростатический потенциал г) принимает значения ( фиг. [26]
 |
Схема образования четырех составляющих тока через р - п переход.| Распределение объемного заряда при различной концентрации свободных носителей в материалах р - и п-типа. [27] |
Таким образом, при образовании слоя объемного заряда устанавливается динамическое равновесие потока неосновных носителей, возникших в результате тепловой генерации в сфере действия объемного заряда, и потока основных носителей, обладающих энергией, достаточной для преодоления противодействия объемного заряда. [28]
Легко видеть, что толщина слоя объемного заряда увеличивается с ростом обратного напряжения. Барьерная же емкость обратносмещенного перехода, как это следует из (1.12), уменьшается с ростом обратного напряжения из-за увеличения толщины слоя объемного заряда. [29]
Nn Nn, то практически весь слой объемного заряда лежит в и-области. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5