Слой - пространственный заряд
Cтраница 1
Слой пространственного заряда образуется в полупроводнике с отрицательной дифференциальной проводимостью даже в случае отсутствия шумовых флюктуации или внутренних неодно-родностей вследствие того, что вблизи границы раздела кристалл-отрицательный электрод всегда существует градиент электрического поля. [1]
Пр слой пространственного заряда распространяется на всю базовую область диода до низко-омной подложки, так что дальнейшее увеличение напряжения практически не вызывает изменения толщины запирающего слоя и емкости перехода. [2]
Такие слои пространственного заряда всегда образуются при соприкосновении плазмы с любым электродом, отрицательно или положительно заряженным по отношению к плазме. Слой пространственного заряда экранирует лежащие за ним участки плазмы от поля, созданного зондом. [3]
Ширина слоя пространственного заряда в результате отжига увеличивается с 0 1 до 0 5 мкм. Спектральная характеристика емкости освещенного элемента, показанная на рис. 4.10, а, содержит области спада и резкого повышения емкости. [4]
Толщина слоя пространственного заряда зависит от плотности поверхностных уровней и от концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике. [5]
 |
Ступенчатый р-п переход. [6] |
Внутри слоя пространственного заряда электроны и положительные дырки, обусловливающие проводимость, отсутствуют. [7]
Емкость слоя пространственного заряда Сб ( см. § 5), называемая барьерной, зависит от внешнего напряжения U на р-л-переходе: при увеличении напряжения U от обратного к прямому барьерная емкость Сб возрастает. С ростом концентрации примеси в p - n - переходе Сб ( 0) увеличивается. В диапазоне рабочих напряжений р-л-перехода барьерная емкость изменяется в несколько раз. Рабочие значения барьерной емкости составляют от десятых долей до десятков пикофарадов. [9]
За пределами слоя пространственного заряда концентрация носителей, работа выхода и электростатический потенциал сохраняют постоянные значения. [10]
Случай создания слоя пространственного заряда рассматривается нами здесь из-за его практической важности. Однако в достаточной степени изучен только случай динамического создания заряда. В этом случае достигаются воспроизводимые результаты и существует метод количественного определения величины пространственных зарядов. Таким образом, излагаемое ниже аналитическое рассмотрение по необходимости ограничивается случаем динамического создания заряда. [11]
Обедненный носителями заряда слой пространственного заряда обладает электрической емкостью, так как он подобен диэлектрику, заключенному между двумя проводящими обкладками, роль которых выполняют л - и р-области, примыкающие к слою пространственного заряда. Поскольку толщина слоя пространственного заряда зависит от напряжения U, емкость р-л-перехода также зависит от U: при изменении Uor прямого к обратному емкость падает. [12]
 |
Отдельные п - и р-области ( а, объединенные п - и р-области ( б.| Распределение пространст - - ч. [13] |
При этом толщина слоя пространственного заряда уменьшается, появляются потоки основных носителей через слой пространственного заряда, его проводимость увеличивается и возникает электрический ток в цепи. Такие напряжение и ток называют прямыми. [14]
Рассмотрим сначала ток через слой пространственного заряда. [15]
Страницы: 1 2 3 4