Слой - пространственный заряд
Cтраница 4
Наличие поверхностных состояний в запрещенной зоне и заполнение их электронами или дырками приводит к образованию вблизи поверхности полупроводника слоя пространственного заряда и, следовательно, потенциального барьера. Распределение потенциала в слое пространственного заряда определяется уравнением Пуассона. [46]
При контакте двух тел, близких по своей химической природе, подавляющая часть контактной разности потенциалов распределяется в слоях пространственного заряда, по обе стороны от границы контакта. Основная часть контактной разности потенциалов распределяется в теле, обладающем большей эффективной толщиной слоя пространственного заряда. [47]
 |
Зависимости емка ной энергии NESA / PcMg / Al ния. [48] |
Неудивительно, что величины энергии активации так плохо воспроизводятся, поскольку концентрация и распределение кислорода, участвующего в образовании слоя пространственного заряда, никак не контролируются при изготовлении элемента. [49]
На основании сказанного можно определить значение равновесной контактной разности потенциалов для случая, когда толщина соприкасающихся тел значительно превосходит толщину слоя пространственного заряда. [50]
Снижение эффективной толщины базы при больших значениях тока и напряжения ведет к увеличению коэффициента усиления по току в результате расширения слоя пространственного заряда и уменьшения расстояния между границей этого слоя и эмиттером. [52]
Как уже было выяснено в главе X, между невозмущенной плазмой и соприкасающимся с ней электродом, например зондом, возникает слой пространственного заряда знака, противоположного знаку заряда данного электрода или зонда. В каждом таком слое имеет место некоторое падение потенциала: потенциал внутри слоя изменяется от потенциала данной точки невозмущенной плазмы до потенциала электрода или зонда. Через слой протекает ток, созданный попадающими на границу между слоем и плазмой заряженными частицами знака, противоположного знаку заряда зонда или электрода. Плотность этого тока обусловливается плотностью беспорядочного тока заряженных частиц данного знака в плазме и площадью внешней границы слоя. [53]
 |
Вольт-амперная характери - п. [54] |
Пробой р-п перехода ( или другого контакта) объясняется большой & U энергией направленного движе-ния, которую приобретают электроны, проходя через слой пространственного заряда. [55]
Если на р-область подается напряжение U, отрицательное по отношению к л-области, потенциальный барьер к возрастает на U, а толщина слоя пространственного заряда увеличивается. Проводимость слоя пространственного заряда из-за почти полного отсутствия свободных носителей в нем остается низкой и через р-л-переход проходит незначительный ток. Такие напряжение и ток называют обратными. [56]
 |
Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода. [57] |
Выше при выводе выражения для вольт-амперной характеристики предполагалось, что генерация и рекомбинация подвижных носителей зарядов происходят в полупроводниках п - и р-типа вне слоя пространственного заряда самого перехода и не учитывались генерация и рекомбинация внутри самого перехода. [58]
При выводе выражения для вольт-ам перной характеристики мы считали, что генерация и рекомбинация подвижных носителей зарядов происходит в полупроводниках п - и р-типа вне слоя пространственного заряда самого перехода без учета генерации и рекомбинации внутри самого перехода. [59]
Из выражений ( 130), ( 131) и ( 132) следует, что большие значения контактной разности потенциалов, диэлектрической проницаемости и температуры способствуют расширению слоя пространственного заряда, а возрастание общей концентрации носителей заряда приводит к уменьшению эффективной толщины этого слоя. Для правильного понимания сказанного необходимо обратить внимание на двойное влияние температуры, которая, с одной стороны, способствует увеличению толщины слоя пространственного заряда, а с другой стороны может определять концентрацию носителей заряда, как это имеет место у полупроводников. [60]
Страницы: 1 2 3 4