Слой - пространственный заряд
Cтраница 3
При слабом уровне легирования ( менее 10й см-3) истощенный слой пространственного заряда имеет большую толщину, поэтому еще до включения описанного механизма возникает пробой от высокого краевого поля. [31]
 |
Конденсатор с поверхностной емкостью. а - схема устройства. М - металлический электрод. Д - тонкий слой диэлектрика. ПП - полупроводник. б - упрощенная эквивалентная схема. [32] |
Напряжение смещения, поданное на металл, индуцирует в полупроводнике слой пространственного заряда вблизи поверхности раздела металл - полупроводник; переменное напряжение, приложенное к этой системе, распределяется между слоем диэлектрика, областью пространственного заряда и остальной частью полупроводника. [33]
В предыдущем параграфе мы видели, что везде за пределами слоя пространственного заряда концентрации носителей в соприкасающихся телах сохраняют постоянное значение и потому являются известными величинами. Отсюда следует, что для определения вольт-амперной характеристики контакта остается выяснить вопрос о высоте и форме потенциального барьера, возникающего на границе соприкасающихся тел. [34]
Обсуждаются свойства поверхности полупроводника, связанные с наличием поверхностных состояний и слоя пространственного заряда. Дана теория области пространственного заряда, которая принимает во внимание как заряды, связаннные с неподвижными примесями, так и подвижные носители тока обоих знаков. Свойства пространственного заряда выражаются через значения потенциала на поверхности и электрохимических потенциалов электронов и дырок, и связываются характеристиками переноса добавочных носителей тока в однородном полупроводнике. Исследуется изменение поверхностной проводимости, вызванное неисчезающим поверхностным избытком электронов и дырок. Сравниваются области пространственного заряда на свободной поверхности и в р-ге-пе-реходе и оцениваются пределы применимости теории пространственного заряда Мотта - Шоттки. Обсуждается распределение поверхностных состояний соответственно модели Браттэна-Бардина. Дается теория опытов по поверхностному фотоэффекту и влиянию внешнего поля при наличии и в отсутствие поверхностных состояний; делается вывод, что в первом случае поверхностные состояния не играют большой роли, а во втором случае пока еще нет необходимых количественных данных. Обсуждается вопрос о соотношении между потенциалом поверхности и контактной разностью потенциалов. На основе развитой теории обсуждаются свойства каналов. Статья заканчивается небольшим разделом, посвященным явлениям с большим временем релаксации. [35]
Для резкого перехода уменьшение перепада 2XF0 на V приводит к сужению слоя пространственного заряда на Ах с каждой стороны переходной области. Из условий электрической нейтральности в этот слой для нейтрализации объемного заряда должен войти заряд дырок AQ; аналогичное явление будет происходить на электронной стороне перехода, что в определенном смысле эквивалентно заряду емкости. [36]
Результаты теоретического и экспериментального исследования структуры подзон и оптических переходов в слоях пространственного заряда обсуждаются в гл. [37]
При подаче на р - / 7-переход обратного напряжения t / o6p слой пространственного заряда находится в неравновесных условиях, так как он дополнительно обедняется носителями заряда. При Uo6f менее - ( 0 2 - 0 3) В концентрация свободных носителей в слое пространственного заряда практически равна нулю. В этих условиях в слое пространственного заряда происходит термическая генерация электронно-дырочных пар, не уравновешенная противоположным процессом - рекомбинацией. При появлении электронно-дырочной пары электрическое поле слоя пространственного заряда выталкивает электрон в электрически нейтральную л-область, а дырку - в электрически нейтральную р-область, создавая обратный ток р-л-перехода, называемый током термогенерации. Ток термогенерации пропорционален объему слоя пространственного заряда, т.е. произведению площади р - / 7-перехода на толщину этого слоя. [38]
Эффективная подвижность, соответствующая потенциалу, полученному из решения уравнения Пуассона для слоя пространственного заряда, в зависимости от параметра 3 при нескольких значениях параметра В. [39]
Эффект увеличивается при захвате носителей, и они начинают образовывать вблизи освещаемого электрода слой пространственного заряда, уменьшая тем самым поле в глубине кристалла. Это становится более заметным, когда освещаемый электрод отрицателен, так как отрицательным носителям требуется больше времени, чтобы добраться до другого электрода, и слой пространственного заряда разрушается меньше, поскольку меньшее число положительных зарядов сможет разряжаться на отрицательном 1 электроде. [40]
Вывод соответствующих уравнений аналогичен уже рассмотренному выше и отличается лишь тем, что слой пространственного заряда в приповерхностных слоях Я0 и Кх принимается во внимание при расчете распределения потенциала и его влияния на диффузию дефектов через пленку. [41]
При этом толщина слоя пространственного заряда уменьшается, появляются потоки основных носителей через слой пространственного заряда, его проводимость увеличивается и возникает электрический ток в цепи. Такие напряжение и ток называют прямыми. [42]
Вывод соответствующих уравнений аналогичен уже рассмотренному выше и отличается лишь тем, что слой пространственного заряда в поверхностных областях пленки, которым можно пренебречь при изучении толстых пленок, теперь занимает значительную долю толщины пленки. Это необходимо принимать во внимание при расчете распределения потенциала и его влияния на диффузию дефектов через пленку. Кроме того, изменение кинетических закономерностей вследствие изменения глубины слоя пространственного заряда может происходить при достижении критической толщины пленки. При изучении роста очень тонких пленок необходимо принимать во внимание возможность ограничения скорости роста процессами переноса по поверхности пленки, а не переносом через пленку. [43]
Согласно теории плазмы, ток на анод представляет собой беспорядочный ток электронов, попадающих из плазмы в слой пространственного заряда, окружающий всякий соприкасающийся с плазмой электрод, а следовательно, и анод. [44]
Согласно теории Ленгмюра, ток на анод представляет собой беспорядочный ток электронов, попадающих из плазмы в слой пространственного заряда, окружающий всякий соприкасающийся с плазмой электрод, а следовательно и анод. [45]
Страницы: 1 2 3 4