Слой - пространственный заряд
Cтраница 2
Поскольку при увеличении отрицательного смещения слой пространственного заряда распространяется в этом случае, в основном, в га-область, уравнение ( 7) может быть использовано для нахождения распределения донорной примеси в эпитаксиальной пленке. При этом значения А / о и р, соответствующие действительному распределению, получаются при совпадении расчетной [ уравнение ( 7) ] и экспериментальной кривой ( рис. 2), полученной из зависимости емкости перехода от напряжения смещения. [16]
Если воспользоваться ионизацией за счет создания слоя пространственного заряда, то траектории пузырей получаются проще, поскольку в этом случае зависимости от координаты z не существует. Так как в настоящее время достаточно точно определить величину плотности пространственного заряда в слое для этого случая невозможно, количественных исследований мы не проводили. [17]
Между стоком и истоком существует емкость слоя пространственного заряда ( ООЗ) Сси. [18]
Эти экспериментальные результаты непосредственно подтверждают существование слоя пространственного заряда на свободной поверхности полупроводника. Они не только согласуются с результатами, полученными ранее для поверхности кремния [1], но идут гораздо дальше, так как дают возможность определить, как изменяется слой пространственного заряда в зависимости от используемой газовой среды. [19]
Кроме того, время пролета электронов через слой пространственного заряда, определяемое скоростью дрейфа и толщиной этого слоя, должно оставаться постоянным при изменении напряжения на диоде. Скорость дрейфа возрастает с напряженностью электрического поля лишь до определенной величины. Начиная с некоторого значения напряженности поля наступает насыщение скорости дрейфа. Таким образом, допустимо только такое снижение напряжения на диоде, при котором скорость дрейфа электронов оставалась бы равной скорости насыщения. Это ограничивает допустимую амплитуду колебаний относительно небольшой долей постоянного напряжения. [20]
 |
Зависимости напряжений и токов, иллюстрирующие появление отрицательного дифференциального сопротивления ла-винпо-пролетного диода. [21] |
Кроме того, время пролета электрсноз через слой пространственного заряда, определяемое скоростью дрейфа и толщиной этого слоя, должно оставаться постоянным при изменении напряжения на диоде. Скорость дрейфа возрастает с напряженностью электрического поля лишь до определенной величины. Начиная с некоторого значения напряженности поля, наступает насыщение скорости дрейфа. Таким образом, допустимо только такое снижение напряжения на диоде, при котором скорость дрейфа электронов оставалась бы равной скорости насыщения. Это ограничивает допустимую амплитуду колебаний относительно небольшой долей постоянного напряжения. [22]
При точных подсчетах необходимо учитывать, что слой пространственного заряда длиннее зонда, и вводить соответствующие поправочные члены. [23]
В результате вблизи границы раздела областей создается двойной объемный слой пространственных зарядов, который называют p - n - переходом. Этот слой обеднен основными ( подвижными) носителями заряда в обеих частях, поэтому его удельное сопротивление велико по сравнению с областями р - и n - типов. Часто этот слой называют запирающим. [24]
Другую часть теории Ленгмюра составляет учение о слоях пространственных зарядов, образующихся в пограничных областях плазмы в местах соприкосновения ее с электродами, зондами или стенками трубки. [25]
 |
Потенциальный барьер в месте контакта металл - электронный полупроводник, когда ф, ф3. [26] |
В случае выпрямляющего контакта металл - полупроводник образуется слой пространственного заряда в приконтактной области полупроводника. Этот слой и формирует барьерную емкость. Толщина барьера и его емкость определяются из решения уравнения Пуассона. [27]
Подвижность носителей тока, находящихся в потенциальной яме слоя пространственного заряда вблизи поверхности, может быть понижена благодаря рассеянию на поверхности, если ширина ямы порядка средней длины свободного пробега. Из решения уравнения Больцмана следует, что эффективная подвижность может быть в десять раз меньше подвижности в объеме. Решения получены для двух видов потенциала: а) для линейного изменения потенциала с расстоянием, соответствующего постоянному полю в пространственном заряде; б) для решения уравнения Пуассона, включающего внешнее смещение, приложенное перпендикулярно поверхности. Результаты были использованы для исследования изменения поверхностной проводимости германия при изменении потенциала на поверхности и для вычисления подвижности, наблюдаемой в опытах по влиянию внешнего поля и каналов на поверхностную проводимость. [28]
Когда температура близка к абсолютному нулю, толщина слоя пространственного заряда приближается к размеру атомов, из которых построено данное тело. Двойной электрический слой в данном случае представляет собой плоский конденсатор, расстояние между пластинами которого равно межатомному расстоянию в соприкасающихся телах. Такое расположение избыточных зарядов соответствует образованию полярных или ионных химических связей между поверхностными атомами находящихся в контакте тел. [29]
Поскольку величина электростатического потенциала неодинакова по всей толщине слоя пространственного заряда, то концентрации избыточных носителей заряда - электронов и дырок - не равны между собой. Следовательно, скорости поверхностной рекомбинации для электронов и дырок различны. [30]
Страницы: 1 2 3 4