Слой - кремний
Cтраница 1
 |
Кремниевый выпрямительный элемент типа ВК-50. [1] |
Слой кремния, в который вплавлен алюминий, служит анодом, другой слой - катодом. [2]
Слои кремния, осажденные на кварц, растрескиваются при толщине свыше 4 мкм вследствие большого несоответствия коэффициентов термического расширения. [3]
Обычно гетероэпитаксиальные слои кремния на сапфире имеют неоднородные свойства по толщине. Это обусловлено влиянием разупорядоченного переходного слоя. Высокие структурные и электрофизические характеристики слоев достигаются при толщине не менее 8 - 10 мкм, что соответствует требованиям входного контроля эпислоев. [4]
В результате создается слой кремния с проводимостью р-типа. [5]
Он позволяет осаждать эпитаксиаль-ные слои кремния при температурах на 100 - 200 С ниже, чем при водородном восстановлении тетрахлорсилана, с большими, доходящими до 6 - 8 мкм / мин скоростями роста. [6]
Хлоридным методом получают автоэпитаксиальные слои кремния с параметрами, полностью удовлетворяющими требованиям микроэлектроники при производстве БИС. В основе метода лежит процесс восстановления тетрахлорида кремния SiQ4 водородом. Парогазовая смесь образуется при пропускании водорода через испаритель с тетрахлоридом кремния, термостатированный при температуре, обеспечивающей необходимое парциальное давление пара SiQ4 в смеси. [7]
 |
Зависимость средней толщины слоя прореагировавшего кролшии от величины формирующего напряжения при анодном окислении. [8] |
Ом см. Толщина слоя прореагировавшего кремния была вычислена по содержанию его в стравленных слоях, определенному радиоактпвацпонпо. [9]
 |
Поперечный разрез интегральной схемы. [10] |
Поскольку в интегральной схеме слой кремния толще покрывающего его слоя стекла, макроскопические свойства структуры определяются кремнием. Чем ближе коэффициенты теплового расширения стекла и кремния, тем лучше стекло сцепляется с кремниевой подложкой. [11]
В углублении 4 осажден слой кремния n - типа толщиной до 50 мкм. [12]
Затем вытравливают канавки и наращивают поликрйсталличе-ский слой кремния. Пластинку переворачивают - и лишний материал / 7-типа сошлифовывают, формируя изолированные островки материала я-типа и р-типа, в которых можно создавать п-р-п-и р-п-р-транзисторы. Для создания р-п-р-транзисторов используют обычные методы диффузии с защитной окисной маской. Диффузию проводят в открытой трубе, используя жидкий источник примесей. [13]
Рассмотрим теперь вопрос о зависимости толщины слоя прореагировавшего кремния от величины формирующего напряжения. [14]
При tn 900 С германий покрывается поликристаллическим слоем кремния и лишь при температуре подложки, близкой к точке плавления германия, кремний образует на плоскости ( 111) сплошной ориентированный слой. Пленки кремния на германии имеют и-проводимость. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5