Слой - кремний
Cтраница 2
Для определения местоположения атомов бора в слоях кремния, имплантированного ионами водорода, использованы также методы канали-рования, ядерной реакции В ( р, а) и внутреннего трения. Однако эти дефекты устойчивы до 200 и 300 С соответственно. Считали, что образование ( g - полос обусловлено междоузель-ными атомами бора. Так же, как и дефекты, которые исследовали методами внутреннего трения, каналирования и ядерных реакций, Q-полосы обладают относительно высокой термической устойчивостью, т.е. отжигаются при температуре 250 С. Различие в интервалах отжига и в других параметрах 81 - С28 - центра и дефектов, которые предположительно отнесены к междоузельным атомам бора, указывают на то, что в обсуждаемых экспериментах наблюдались не междоузельные атомы бора, а скорее всего комплексы, включающие их. [16]
На поверхности со стороны окисленных канавок выращивают поликристаллический слой кремния толщиной более 100 мкм ( рис. 3.18 е) С противоположной поверхности сошлифовывают или стравливают слой моиокристалличеюко-го кремния - типа до окисного слоя. Таким образом, получают области кремния / г-типа со скрытыми слоями л - типа, которые служат коллекторами, изолированными друг от друга пленкой. [17]
 |
Стадии изготовления МДП-транзисто-ра с кремниевым затвором. [18] |
Для этого поверхность кремния окисляют, покрывают поликристаллическим слоем кремния ( рис. 8.8, а) и проводят его фотогравировку ( рис. 8.8, б), так что он приобретает необходимую для затворов конфигурацию. [19]
Была оценена также деформация, возникающая в слоях кремния. [20]
 |
Последовательность этапов изготовления элементов интегральной схемы. [21] |
После удаления маскирующего окисла на поверхности эпитаксиально выращивают слой кремния n - типа ( рис. 58, в), к которому предъявляются жесткие требования в отношении толщины, удельного сопротивления и кристаллического совершенства, поскольку именно здесь будут сформированы рабочие элементы структуры. Этот способ изоляции рабочих областей по сравнению с диэлектрической изоляцией имеет некоторые технологические преимущества. Он менее трудоемок, включает меньшее количество последовательных операций и позволяет получать структуры с большим выходом. [22]
Процесс изготовления схем начинается осаждением из паровой фазы слоя кремния толщиной 1 мкм на сапфир. [23]
На рис. 47 приведена полученная нами зависимость толщины слоя прореагировавшего кремния от величины формирующего напряжения. [24]
Данная марка означает, что структура состоит яз эяитаксиального слоя кремния электронной проводимости, легированного фосфором, с удельным сопротивлением 0 5 Ом-см и толщиной 20 мкм, который выращен на кремниевой подложке дырочной проводимости, легированной бором, с удельным сопротивлением 10 Ом-см и толщиной 300 мкм. [25]
После окончания процесса стержни с осажденным на них слоем кремния вынимают из печи и после обработки их смесью плавиковой и азотной кислот ( для очистки поверхности) передают на металлургическую очистку. [26]
Графитовые изделия покрывают карбидом кремния, осаждая на них слой кремния в условиях проведения обычного процесса эпитаксиального осаждения. Эту операцию проводят в течение 15 мин, после чего в атмосфере водорода или инертного газа в течение 2 мин при 1500 С осуществляют термообработку, в ходе которой проникший в объем графитового изделия и осевший на его поверхности кремний взаимодействует с углеродом, образуя карбид кремния. За один цикл ( осаждение и термообработка) поверхность графитового изделия покрывается слоем карбида кремния толщиной до 50 мкм. При необходимости получения более толстых покрытий такую обработку повторяют. Непосредственно перед использованием графитовые изделия покрывают в режиме обычного эпитаксиального процесса слоем чистого поликристаллического кремния толщиной 5 - 15 мкм, который периодически возобновляют. [27]
При изготовлении ряда полупроводниковых приооров в интегральных схем используют автоэпитаксиальные слои кремния. Подложку изготавливают из высокоомного кремния как р -, так и п-типа, удельное сопротивление которого лежит в области 1 - 20 ком-си. [28]
Отсюда также ясна целесообразность формирования р-ге-переходов высоковольтных стабилитронов в тонком высокоомном эпитаксиаль-ном слое кремния, выращенном на низкоомной подложке. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5