Слой - кремний
Cтраница 3
 |
Энергетические диаграммы, поясняющие увеличение дифференциального сопротивления с уменьшением напряжения стабилизации для стаби. [31] |
Отсюда также ясна целесообразность формирования р-я-переходов высоковольтных стабилитронов в тонком высокоомном эпитаксиаль-ном слое кремния, выращенном на низкоомной подложке. [32]
В местах, где нужно провести локальную диффузию примесей в эпитаксиаль-ный слой кремния, слой SiO2 удаляется с его поверхности методом локального травления. Для вытравливания в оксидном слое ( SiO2) отверстий ( окон) той или иной формы с требуемой точностью используют метод фотолитографии. [33]
В местах, где нужно провести локальную диффузию примесей в эпитаксиаль-ный слой кремния, слой SiO2 удаляется с его поверхности методом локального травления. Для вытравливания в оксидном слое ( S1O2) отверстий ( окон) той или иной формы с требуемой точностью используют метод фотолитографии. [34]
Наиболее значительное влияние на характеристики тонкопленочных солнечных элементов оказывает микроструктура фотоактивного слоя кремния. Микроструктура пленок существенно зависит от условий осаждения, а также от качества и природы материала подложки. Наличие легирующей примеси ослабляет активность границ зерен и приводит к возрастанию напряжения холостого хода и коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики, а также к уменьшению последовательного сопротивления элементов. Следует отметить, что углубления поверхности пленок обычно соответствуют областям, содержащим болылеугловые границы зерен. [35]
Вольт-емкостным методом и послойным травлением исследовано распределение концентрации носителей заряда в автоэпитаксиальных слоях кремния / АЭСК / р - и n - тишзв проводимости, выращенных путем пиролиза гидридов и сублимацией в вакууме на подложках, легированных В, Р и Sb до концентрации - 10 см-3. Ширина концентрационных переходов р - р и п - п, полученных при температурах 700 - 1000 С в вакууме и 1100 С пиролизом гидридов, не превышает 0 2 мкм и может быть обусловлена диффузией примеси из подложки. На концентрационных кривых от АЭСК, выращенных при 1000 - 1100J С на подложках, легированных фосфором, наблюдаются хвосты длиной до 1 мкм, не объяснимые диффузией фосфора из подложки. [36]
Были проведены форсированные испытания кремниевых диодов с барьером Шотки, сформированным на эпи-таксиальном слое кремния я-типа проводимости с использованием контакта золото-молибден. [37]
В данной работе с помощью спектров МНПВО изучаются оксидные сверхтонкие ( d10 нм) слои кремния, синтезированные методом молекулярного наслаивания. [38]
 |
Схема слоев на окисленной силицированном молибдене. [39] |
Примером такого типа защитных пленок может служить силици-рованный молибден: на поверхность молибдена диффузионным путем наносится слой кремния, образующего с молибденом соединение MoSia. [40]
На рис. 3.12 приведена структура транзистора ( с комбинированной изоляцией), в которой используются два слоя поликристалличе-ского кремния. При изготовлении транзистора этот слой служит источником акцепторных примесей, диффундирующих в пассив, ные области базы р - типа и уменьшающих их удельное сопротивление. [41]
Далее ( рельефную поверхность окисляют и методом осаждения покрывают толстым ( 150 - 200 мкм) слоем кремния. Далее с обратной стороны путем шлифовки и полировки удаляют мо-нокристалличеекий материал до вскрытия окисла кремния по границам областей. После соответствующего протравливания и отмывки поверхности осуществляют ее окисление. В образованных изолированных областях мо-ноиристаллического кремния л-типа формируют элементы известным диффузионным методом. Обычным путем получают и межсоединения на поверхности пластины. Если исходная заготовка кремния n - типа имеет эпитакси-альный л - слой, то транзисторы получаются со скрытым / г - слоем. [42]
 |
Зависимость tgB и амплитуды фототока / от частоты модуляции.| Схема устаювки для измерения времени жизни носителей заряда фазовым методом по фототоку структуры с контактои Шотки. [43] |
На рис. 4.14 представлена зависимость tg9 и г мплитуды фототока / к от частоты модуляции ю для эпитаксиальнсго слоя кремния л-типа толщиной 50 2 мкм с удельным сопротивлением 28 Ом-см и диффузионной длиной 18 5 мкм. Контакт Шотки образован вакуумным напылением золота, диаметр контакта 2Е0 мкм. Экспериментальные и теоретические зависимости полностью совпадают. [44]
Необходимо отметить, что образцы подвергались специальной обработке при помощи порошка карбида бора, с тем чтобы снять с поверхности слой кремния и создать для всех трех марок силицированного графита одинаковые условия поверхности. Как видно из рис. 2, индикатрисса для силицированного графита ПГ-50 слегка вытянута по направлению зеркального отражения, в то время как индикатриссы для силицированного графита ГМЗ и РВ-0 вытянуты в сторону направления падения света. Тем не менее все они мало отличаются от идеальных ламбертовских сфер. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5