Слой - база
Cтраница 1
Слой базы является ярко выраженным электронным полупроводником. [1]
 |
Образование двух р-п переходов при помощи одновременной. [2] |
Слой базы при этом имеет толщину порядка 5 мкм, а граничная частота такого транзистора равна 500 - 1 000 Мгц. [3]
Слой базы является ярко выраженным электронным полупроводником. [4]
Когда слой базы Б насыщается зарядами и его сопротивление перестает уменьшаться, рост тока эмиттера связан с повышением напряжения на эмиттере. [5]
При этом низкоомный слой базы представляет собой подложку относительно большой толщины, обеспечивающей необходимую механическую прочность структуре прибора. Он может быть создан методом эпитак-сиального наращивания. [6]
При этом низкоомный слой базы представляет собой подложку относительно большой толщины, обеспечивающей необходимую механическую прочность структуре прибора. Он может быть создан методом эпитаксиального наращивания. [7]
Из-за низкоомности слоя базы рабочие коллекторные напряжения поверхностно-барьерных триодов не превышают обычно Зч-5 в. При этом для получения малых емкостей коллекторного перехода площадь коллекторного перехода приходится уменьшать до минимума. В результате допустимые мощности рассеяния на коллекторе поверхностно-барьерных триодов оказываются очень небольшими - не более нескольких десятков милливатт. [8]
Толщина n - слоя базы составляет несколько микрометров и значительно меньше толщины высоколегированного м - слоя. Поэтому в ДНЗ сопротивление базы мало. Они находят применение в умножителях и делителях частоты, диодных усилителях, логических схемах, в схемах модуляторов, формирователей импульсов и др. Кроме известных импульсных параметров ДНЗ характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда тр - отношением заряда, переносимого переходным обратным током, к прямому току при его длительном протекании. [9]
 |
Распределение примесей в базе дрейфового транзистора. [10] |
Следо вательно, удельное сопротивление этого слоя базы велико, и коллек торный переход оказывается довольно широким. Соответственно ем кость Ск получается значительно ( почти на порядок) меньшей, чел у сплавных транзисторов; она может составлять несколько пикофара; и менее. По вполне понятным причинам коллекторный переход являето плавным, а не ступенчатым, и потому емкость Ск описывается формуле. [11]
Это приводит к снижению потенциала на подэмиттерном слое базы и к возрастанию благодаря этому разности потенциалов в диодном р-л-переходе. В результате с ростом тока напряжение эмиттерной цепи снижается. [12]
 |
Схема коллекторных характеристик транзистора при общей. [13] |
В действительности, пока дырки движутся через слой базы, они могут рекомби-нировать со свободными электронами - основными носителями тока базы. Для того чтобы большая часть дырок достигала коллектора, слой базы должен иметь малую толщину. Следовательно, если считать ток эмиттера входным, а ток коллектора выходным током триода, то в полупроводниковом триоде нет усиления тока, но в нем имеет место усиление мощности и напряжения. [14]
 |
Условные обозначения транзисторов.| Реальная структура сплавного бездрейфового ( диффузионного транзистора. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5