Слой - база
Cтраница 2
Это название отражает функцию собирания инжектированных носителей, прошедших через слой базы. [16]
Для того чтобы транзистор имел высокое пробивное напряжение U6K, слой базы должен быть высокоомным. [17]
 |
Транзистор, в котором между базой я коллектором имеется зона из полупроводника с собственной проводимостью, улучшающая усиление на высоких частотах. [18] |
Существует категория ВЧ транзисторов, в которых обращенный к эмиттеру слой базы содержит повышенное количество примесей, что повышает скорость электронов и тем самым позволяет усиливать более высокие частоты. Такие транзисторы называют дрейфовыми; они позволяют усиливать дециметровые волны. [19]
В транзисторе можно назвать три основных источника шума: сопротивление слоя базы гб, эмиттерный и коллекторный переходы. [20]
У маломощных низкочастотных транзисторов ( рис. 4 - 28, а) слой базы обычно монтируется на стальном или медном основании корпуса и вывод базы имеет с корпусом электрический контакт. Отвод тепла от коллекторного перехода осуществляется через тонкую пластинку базы. При этом тепловое сопротивление между переходом и корпусом довольно велико. [21]
 |
Дне возможные структуры транзистор.. с зоной собственной проводимости между базой и коллектором. [22] |
Не менее остроумен метод изготовления дрейфо-в ы х транзисторов, у которых прилегающий к эмиттеру слой базы содержит большее количество примесей ( в случае структуры р-п - р - доноров) с тем, чтобы увеличить проводимость. При этом проникающие в базу электроны получают значительное ускоренно, что позволяет отодвинуть частотный предел транзисторов до 1000 Мгц. [23]
Это объясняется тем, что чем больше отрицательное напряжение на коллекторе, тем меньше ширина слоя базы. Уменьшение же ширины приводит к уменьшению рекомбинаций в ней, а следовательно, и к уменьшению тока базы. [24]
Для расширения частотного диапазона транзисторов необходимо увеличивать скорость перемещения неосновных носителей зарядов через базу, уменьшать толщину слоя базы и коллекторную емкость. При выполнении этих условий транзисторы ( например, дрейфовые, планарные) могут успешно работать на частотах порядка десятков и сотен мегагерц. [25]
Основное отличие многоэмиттерного транзистора от обычных транзисторов заключается в том, что он имеет т эмиттеров, объединенных одним слоем базы. Эти эмиттеры располагаются так, что прямое взаимодействие между ними отсутствует. Поэтому много-эмиттерный транзистор Гм эквивалентен транзисторным структурам, имеющим общий коллектор и взаимодействующих друг с другом только за счет движения основных носителей. [26]
Для уменьшения времени перемещений носителей зарядов в точечных триодах уменьшают расстояние между контактами, а в плоскостных тр-иодах - толщину слоя базы. Однако эти конструктивные изменения приводят к увеличению междуэлектродных емкостей, которые также ограничивают предельную рабочую частоту. [27]
 |
Физическая эквивалентная схема лампы.| Физическая эквивалентная схема транзистора. [28] |
Емкость Сэб включает в себя статическую емкость эмиттерного перехода и диффузионную емкость, обусловленную инерционностью носителей управляемого тока, движущихся через слой базы. Величины g & K и Сб к учитывают соответственно проводимость и емкость коллекторного перехода. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5