Cтраница 5
С ростом прямого тока высота потенциального барьера уменьшается, стремясь в пределе к нулю. Следовательно, при больших токах наличие перехода делается все менее существенным и диод постепенно превращается в двухслойную полупроводниковую пластинку, в которой главную роль играет слой базы. [61]
В режиме покоя между базой и эмиттером действует небольшое положительное напряжение, открывающее входную, а следовательно, и выходную цепи транзистора. В цепях базы, эмиттера и коллектора проходят небольшие токи / БС, / эо и / KO ( фиг. Однако резкое увеличение тока эмиттера пока еще не может вызвать такого же изменения тока в цепи коллектора, так как потребуется какое-то время, прежде чем носителя отрицательного заряда - электроны пройдут через слой базы и достигнут перехода база - коллектор. [62]
Полученные выше ( результаты показывают ( возможность и пути построения нелинейной теории лишь низкочастотных генераторов почти гармонических колебаний на полупроводниковых триодах, в которых инерционность триода не играет заметной роли. Построение нелинейной теории генераторов с учетом этой инерционности является достаточно сложной задачей, успешное решение которой в полной мере станет возможным лишь шасле завершения работ по исследованию режима большого сигнала в полупроводниковых триодах. Не вдаваясь в детали, отметим, что при анализе высокочастотных генераторов на полупроводниковых триодах необходимо учитывать нелинейную инерционность последних, которая в общем случае должна определяться как диффузионным, так и дрейфовым характером движ: ения неосновных носителей через базу. Таким образом, нелинейный анализ таких генераторов сводится к рассмотрению задачи переноса носителей заряда через слой базы триода с одновременным учетом как диффузии, так и движения их под действием электрического поля. [63]
Если к эмиттеру подвести плюс источника тока, а к коллектору ( через сопротивление нагрузки) - минус, то тока в цепи не будет, так как на пути находится запирающий слой. В этом случае транзистор называется закрытым. Если будет пропущен ток через переход эмиттер-база, то потечет ток базы. При этом электроны, проникнувшие в область базы из эмиттера, проскочат к переходу база-коллектор вследствие диффузии ( так как толщина слоя базы меньше, чем диффузионная длина пробега электронов), где под влиянием электрического поля они будут втянуты в коллектор. Этот ток образует ток коллектора. Транзистор в этом состоянии называется открытым. Причем небольшой ток базы вызывает значительный ток коллектора. Вследствие этого транзистор обладает усилительными свойствами. [64]