Слой - база
Cтраница 3
Структура меза-планарного транзистора, изготовленного методом двойной диффузии: 1 - электрод эмиттера; 2 -диффузионный слой эмиттера ( п); з-диффузионный слой базы ( р); 4 - электрод базы; 5 - исходный - Ge; в - электрод коллектора. [31]
Структура меза-планарпого транзистора, изготовленного методом двойной диффузии: 1 - электрод эмиттера; 2 - диффузионный слой эмиттера ( п); 3 -диффузионный слой базы ( р); 4 - электрод базы; 5 - исходный п - 0е; в - электрод коллектора. [33]
 |
Распределение неосновных носителей в базе дрейфового транзистора при высоких уровнях инжекции ( штрих-пунктиром показано распределение в бездрейфовом транзисторе при низком уровне инжекции. [34] |
Отсюда следует, что с увеличением тока модуляция удельного сопротивления базы ( см. § 2 - 8) происходит в направлении от коллектора к эмиттеру и что приэмит-терный слой базы модулируется слабее других. Соответственно коэффициент инжекции [ см. выражение ( 2 - 74) ] у дрейфовых транзисторов зависит от тока сравнительно слабо. [35]
В транзисторе W LP и при малом уровне инжекции концентрация инжектированных носителей у коллектора близка к нулю, так как сильное электрическое поле коллектора уносит дырки из прилегающего слоя базы. [36]
Переходя к величинам а / и р /, следует иметь в виду, что коэффициент инжекции при инверсном включении дрейфовых транзисторов существенно меньше единицы ( у / 1 / 2) из-за сравнимых удельных сопротивлений коллектора и приколлекторного слоя базы. [37]
Переходя к величинам а / и р /, следует иметь в виду, что коэффициент инжекции при инверсном включении дрейфовых транзисторов существенно меньше единицы ( у / - V2) из-за сравнимых удельных сопротивлений коллектора и при коллекторного слоя базы. [38]
 |
Технологические этапы получения диффузионного транзистора. [39] |
В этом транзисторе площадь базы настолько мала, что вызванное этим уменьшение емкости слоя коллектор-база приводит к увеличению граничной частоты в 2 раза ( примерно до 2000 Мгц) по сравнению с граничной частотой у диффузионных транзисторов с такой же толщиной слоя базы. [40]
 |
Прямая характеристика реального диода, ее идеализация ( а и эквивалентная схема диода при прямом включении ( б. [41] |
В случае толстой базы ( рис. 2 - 35, а и 2 - 36, а) ток основных носителей ( в данном случае - электронов) мал только вблизи перехода; на расстоянии ( 2 - т - 3) L от перехода, где слой базы находится почти в равновесном состоянии и роль неосновных носителей ничтожна, ток основных носителей является главным компонентом и имеет практически чисто дрейфовый характер, как в обычном однородном полупроводнике. [42]
Слой базы, к которому в грубом приближении равномерно приложено внешнее напряжение, W5 мкм. [43]
 |
НО. Характеристики триода. [44] |
Для того чтобы наибольшая часть электронов, эмиттированная из области Э, прошла в облагть / С, необходимо уменьшить число электронов, нейтрализующихся дыркг. С этой целью толщину слоя базы выбирают возможно более малой - порядка десятых или сотых долей миллиметра. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5