Слой - металлизация
Cтраница 2
Взаимные соединения элементов осуществляются с помощью слоя металлизации, наносимого на изолирущий слой, защищающий поверхность полупроводника. Для исключения взаимосвязи по постоянному току через материал полупроводника все элементы схемы изолируются друг от друга. [16]
После этого на верхнюю поверхность подложки наносят слой металлизации, который используют для формирования межэлементных соединений. Поскольку поверхность подложки является рельефной из-за разной толщины окисла, покрывающего различные локальные области, важное значение приобретает предотвращение разрывов в слое металлизации. Для равномерного распределения наносимого при металлизации алюминия обычно используют специальные приспособления, позволяющие получать разные углы падения испаряемых атомов. [17]
Часть базового р-слоя транзистора, находящаяся под слоем эмит-терной металлизации, образует с коллектором внутренний р-п-пере-ход, который может рассматриваться как обратный диод, включенный параллельно выходной цепи транзистора. Так как площадь перехода данного диода составляет лишь небольшую долю от общей площади перехода база-коллектор, его способность по токовой нагрузке и мощности не соизмерима с аналогичными показателями самого транзистора. В этом смысле весьма проблематично применение такого диода в качестве полноценного демпферного компонента в схемах мостовой и полумостовой конфигурации. Кроме этого, заряд, накапливаемый в базе такого диода, может увеличиваться за счет транзисторного эффекта внутри структуры при смене полярности на диоде с прямой на обратную. Это приводит к замедлению переходного процесса восстановления запирающих свойств диода и увеличению потерь мощности в схеме. По указанным причинам в современных сериях транзисторов Дарлингтона используют параллельные обратные диоды, созданные на отдельном кристалле, интегрированном в корпус прибора. Нагрузочная способность таких диодов соответствует транзисторной. [18]
 |
Медный шарик в качестве вывода полупроводниковых приборов. [19] |
При этом методе шарики из серебра устанавливают на контактные площадки слоя металлизации с помощью серебряно-оловянистого припоя, имеющего температуру плавления 217 С. [20]
На втором этапе изготовитель обрабатывает полученную топологию, завершает выполнение слоя металлизации, проводит функциональный контроль пластин, осуществляет сборку с необходимыми технологическими испытаниями. [21]
Почему при облуживании изоляторов и припайке арматуры не допускается перегрев слоя металлизации. [22]
 |
Конструкции полосковых линий. [23] |
Изготовление транзистора завершается вскрытием окон под контактные площадки и формированием слоя металлизации. В последнее время для формирования структур полевых транзисторов КНС используются также маскирующие слои из нитрида кремния. Изготовленные по такой технологии пленочные транзисторы обладают хорошими электрическими характеристиками. Усилительные свойства их остаются достаточно высокими до 4 - 6 ГГц. Напряжение пробоя затвор-сток превышает 20 - 30 В; пороговое напряжение не превышает 0 6 - 0 8 В. [24]
Завершающей операцией изготовления МДП-ИМС является нанесение пассивирующего окисного покрытия, защищающего слой металлизации от механических повреждений. Пассивирующий слой создают нанесением на подложку окисла SiO2 низкотемпературным способом. Заключительную фотолитографическую обработку осуществляют для удаления пассивирующего слоя окисла с контактных площадок, которые используют затем при приварке выводов. [25]
Для защиты проводников от вытравливания и обеспечения способности к пайке на слой металлизации наносится покрытие. [26]
Формирование взаимного расположения элементов, окон разделительного слоя, а также слоя металлизации с соблюдением минимальных технологических зазоров производится пользователем. [27]
Контактные соединения, как и в ГИС, осуществляются с помощью слоя металлизации. [28]
Конденсатором служит емкость ( рис. 73, / /) между слоем металлизации 8 и изолированной областью 6 / / - типа, разделенными слоем оксида. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5