Слой - двуокись - кремний
Cтраница 1
Слой двуокиси кремния выполняет функцию диэлектрика в КМОП-конденсаторе и может быть пробит в результате воздействия статического разряда или напряжения переходного процесса. В связи с проблемой статического разряда для лабораторных работ вместо КМОП ИС целесообразно использовать биполярные ТТЛ ИС. [1]
Слой двуокиси кремния ( S1O2), образующийся на поверхности, действует как барьер или маска для диффузии фосфора, мышьяка, сурьмы и бора, в то же время другие вещества, например галлий, сравнительно легко диффундируют через окисел. Это свойство окисла исключительно важно при создании сложных структур, так как если пластину окислить и незащищенными оставить только те области, в которые необходимо ввести примеси, то на поверхности кремниевой пластины можно легко установить границы диффузионных областей. [2]
Для слоя двуокиси кремния толщиной 1 5 мкм напряжение пробоя составляет около 150 В, но на практике оно по ряду причин может быть значительно меньше. Одной из таких причин является накопление носителей тока в области раздела фаз над каналом. [3]
Осуществляют синтез слоя двуокиси кремния требуемой толщины на поверхности тантала. [4]
Затем наносят еще один слой двуокиси кремния и проводят вскрытие контактных окон к истоку, стоку и затвору. После этого на всю поверхность наносят алюминий, который маскируют и травят для формирования второго слоя межсоединений и омических контактов к областям приборов. [5]
В качестве диэлектрика обычно используется слой двуокиси кремния. [6]
Так как поверхность кристалла защищена слоем двуокиси кремния, тонкопленочные алюминиевые соединения могут проходить по любому из диффузионных резисторов, не замыкаясь. [7]
Одновременно на поверхности пластины вновь образуется слой двуокиси кремния. Попутно заметим, что во время получения слоя окисла, кремний для SiO2 берется из объема полупроводника. Следовательно, при каждом травлении окон удаляют некоторое количество кремния, оставляя на полупроводнике ступеньки, которые на рис. 11 - 1 показаны в увеличенном масштабе. [8]
 |
В пленарном транзисторе можно пропускать относительно большие токи, удлиняя контактную линию между зонами эмиттера и базы. [9] |
В третий раз вся конструкция покрывается слоем двуокиси кремния. [10]
 |
Станок для скрайбирования. [11] |
Для облегчения скрайбирования в нужных местах удаляют слой двуокиси кремния. Раскалывание пластин производят вручную или машинным методом. Ручное раскалывание позволяет получить больший выход годной продукции, так как оператор имеет возможность своевременно обнаружить линии некачественного реза и произвести разделение пластины в любой последовательности. [12]
На кремнии выращивался 500 - 1000 А слой двуокиси кремния в реакторе, через который при 1000СС пропускался осушенный кислород. [13]
 |
Структура секции переноса ПЗС со ступенчатым диэлектриком ( и и пояснение принципа переноса информационного заряда при двухтактном питании затворов секции переноса ( б, в.| Структура секция. [14] |
В зазорах между кремниевыми затворами на поверхности слоя двуокиси кремния расположены металлические затворы ( рис. 6.17), которые отделены от затворов из поликристаллического кремния слоем двуокиси кремния, нанесенным после создания затворов из поликристаллического кремния. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5