Слой - двуокись - кремний
Cтраница 5
Эти МОП-транзисторы не имеют физического канала между истоком и стоком, как МОП-транзисторы со встроенным каналом. Вместо этого область проводимости может расширяться на весь слой двуокиси кремния. [61]
 |
Схематическое изображение пленочных резисторов. [62] |
Тонкопленочные резисторы, представляющие собой тонкую проводящую пленку, формируются на поверхности кремниевой пластины после создания в ней активных элементов или на диэлектрической подложке. Они изолируются от остальной части полупроводниковой интегральной схемы слоем двуокиси кремния. [63]
 |
Расширение области объемного заряда изолирующего р-п перехода ИС.| Транзистор полупроводниковой ИС со скрытым слоем. [64] |
Общая протяженность области объемного заряда достигает 2 мкм. Выход на поверхность ИС области объемного заряда защищается слоем двуокиси кремния для уменьшения вклада поверхностных токов в общий ток утечки разделительного р-п перехода. [65]
Страницы: 1 2 3 4 5