Слой - двуокись - кремний
Cтраница 3
Одной обкладкой конденсатора является слой металла ( обычно алюминия), нанесенный на поверхность слоя двуокиси кремния одновременно с созданием межэлементных соединений и контактных площадок. Другой обкладкой - сильнолегирован-нля область полупроводника, которая формируется одновременно с формированием эмиттерных областей транзисторных структур интегральных микросхем. Таким образом, процесс изготовления МДП-конденсаторов также не требует проведения дополнительных операций для их формирования. [31]
Как уже отмечалось в § 3.1, в производстве полупроводниковых интегральных микросхем важную роль играют слои двуокиси кремния ( 5Ю2), обладающие маскирующими ( при диффузии), диэлектрическими и защитными свойствами. Следует отметить, что технология получения диффузионных областей различной конфигурации и геометрии базируется на использования слоев окисла кремния и процесса фотолитографии. Поэтому окисление кремния является одним из основных технологических процессов в технологии изготовления полупроводниковых интегральных микросхем. [32]
Пленки Та имеют очень хорошую адгезию к слоям меди, а пленки TaN - к слоям двуокиси кремния и большинству диэлектриков с НДП и УНДП. Поэтому барьер часто осаждают как двойную систему ( stack) TaN / Ta, где нитрид тантала граничит с поверхностью диэлектриков, а тантал с поверхностью меди. [33]
Рассмотрим более подробно слабо легированную пластину кремния р-типа и исследуем область канала, над которой имеется слой двуокиси кремния. Если предположить, что в слое двуокиси кремния имеются захваченные заряды положительных ионов, то у поверхности кремния будет образовываться заряженный слой, состоящий из подвижных электронов в инверсном слое, ионизированных акцепторов в обедненном слое и области постепенного перехода от поверхности к объему кремния р-типа. Следовательно, распределение зарядов будет таким, как показано на рис. 3.4. Однако в этих условиях электрическое поле отсутствует. [34]
 |
Диффузионный резистор. [35] |
В схемах, работающих на частотах выше 20 МГц, резисторы формируются в островках, изолированных слоем двуокиси кремния. КС диффузионных резисторов составляет ( 2 - 3) 10 - 3 1 / С. [36]
Пробой диэлектрика под затвором может происходить при напряжении на затворе всего в несколько десятков вольт, так как толщина слоя двуокиси кремния около 0 1 мкм. Пробой обычно имеет тепловой характер, происходит при шнуровании тока ( см. § 3.13), и поэтому даже при небольших энергиях импульсов напряжения могут произойти необратимые изменения в диэлектрике. Этот вид пробоя может возникать в результате накопления статических зарядов, так как входное сопротивление МДП-транзисторов велико. Для исключения возможности такого вида пробоя вход МДП-транзистора часто защищают стабилитроном, ограничивающим напряжение на затворе. [37]
При необходимости произвести диффузию примесей только в отдельные участки поверхности кремниевой пластины, поступают следующим образом: на поверхности пластины окислением в специальных условиях получают слой двуокиси кремния SiCb необходимой толщины, которая хорошо задерживает диффундирующие вещества. Затем, пользуясь способом фотолитографии, в этом слое вытравляют окна, открывающие участки пластины, которые необходимо подвергнуть диффузии. Процесс диффузии проводят при температуре порядка 1000 - 1200 С. Чтобы получить нужные глубины диффузии, распределение примесей по глубине и проводимость обрабатываемой диффузией области кристалла, необходимо температуру в печи поддерживать с очень высокой точностью ( порядка долей градуса) в течение всего времени диффузии. [38]
В зазорах между кремниевыми затворами на поверхности слоя двуокиси кремния расположены металлические затворы ( рис. 6.17), которые отделены от затворов из поликристаллического кремния слоем двуокиси кремния, нанесенным после создания затворов из поликристаллического кремния. [39]
Ты, Незнайкин, несомненно, заметишь, что у выполненного таким образом транзистора края переходов не имеют контакта с окружающей атмосферой; они защищены слоем двуокиси кремния, что полностью исключает возможность порчи транзистора. Двуокись кремния больше известна под названием кварца. [40]
 |
Структура fa и экви - отношения С / С необходимо по-валентная схема ( б МДП-кон - давать на л - слой сравнительно денсатора высокое положительное напряже. [41] |
Недостатки, связанные с применением таких конденсаторов, в значительной степени можно устранить, если воспользоваться другим способом формирования конденсатора, в частности МДП-конденсатора на основе слоя двуокиси кремния. Эти конденсаторы отличаются лучшими электрическими характеристиками и находят применение в широком классе перспективных полупроводниковых ИМС, в том числе в линейных полупроводниковых ИМС. Процесс изготовления интегральных МДП-кон-денсаторов не требует дополнительных технологических операций, так как получение оксида, используемого в качестве диэлектрика, можно легко совместить с одной из операций локальной диффузии. [42]
Процесс изготовления ИМС с кремниевыми Затворами обладает большими возможностями, чем процесс создания обычных МДП ИМС, так как в этом методе поликристаллический кремний и наносимый на него слой двуокиси кремния защищают тонкий слой окисла над каналом. Это позволяет реализовать одно из преимуществ ИМС с кремниевыми затворами - совместить изготовление биполярных и МОП структур на одном кристалле с помощью обычных методов. [43]
Конструкция ПВМС показана на рис. 3.4. На участках 2 пластины керамики /, примыкающих к модулирующим участкам 5 и сравнимых с ними По площади, плазменным методом при низкой температуре напылялся слой двуокиси кремния, а поверх него - полисиликоповая пленка. [44]
 |
Варианты конструкций пленочных резисторов. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5