Слой - двуокись - кремний
Cтраница 2
На этом технологическом, этапе вольфрам покрывается слоем двуокиси кремния SiOz, которую можно протравить и открыть доступ к контактам схемы. Если внешние выводы должны-прикрепляться с помощью ультразвука или термокомпрессии, то на контактные области сначала наносится алюминий либо другой пластичный металл. Если же контакты должны осуществляться сваркой или с помощью шариков припоя, то на вольфрам наносится покрытие из никеля или другого подходящего металла. [16]
Изоляцию получают, создавая на поверхности полупроводнико-вой пластины слой двуокиси кремния. [17]
Изоляцию получают, создавая на поверхности полупроводниковой пластины слой двуокиси кремния. [18]
Затвор представляет собой тонкую металлическую пленку, нанесенную на предварительно выращенный слой двуокиси кремния, играющей роль диэлектрика. [19]
 |
Индуктивный диод. 1 - модулированная область базы. г - немодулированная область базы. [20] |
Наличие металлических междуэлементных соединений на поверхности пластины, покрытой слоем двуокиси кремния, приводит к появлению двух видов паразитных элементов: 1) распределенной емкости между соединениями и пластиной, 2) паразитного последовательного сопротивления соединений между компонентами. [21]
 |
Совмещенная микросхема. - структура. 6 - эквивалентная электрическая схема. [22] |
ЗЗТРМ снимают слой фоторезиста и окисляют поверхности канавок Над слоем двуокиси кремния выращивают монокристаллический кремний толщиной примерно 100 мкм, который заполняет и канавки. Этот процесс выполняют в печах для эпитаксиального выращивания. Поликристаллический кремний обладает необходимой механической прочностью, стабильностью размеров и таким же коэффициентом теплового расширения, как и монокристаллический кремний. Затем часть монокристаллического кремния удаляют; при этом образуются изолированные области, в которых создаются элементы микросхем. [23]
 |
Структуры диффузионного резистора и пленарного транзистора в полупроводниковой ИС. [24] |
Соединения между элементами ИС производят с помощью напыления алюминия на слой двуокиси кремния с вытравленными в нем окнами для образования контактов. [25]
В качестве конденсаторов для полупроводниковых интегральных схем используется р-п переход или слой двуокиси кремния, выращенный на полупроводнике. [26]
После образования слоя к - типа со всей поверхности подложки удаляется слой двуокиси кремния и производится эпитаксиальное наращивание кремния и-типа, который будет выполнять роль коллекторной области для всех транзисторов. [27]
Обкладками конденсатора являются тонкая алюминиевая пленка и поверхность части пластины кремния; диэлектриком служит слой двуокиси кремния. Конденсаторы могут выполняться также на основе использования емкостей обратно смешанных р - и-переходов. [28]
Обкладками конденсатора являются тонкая алюминиевая пленка и поверхность части пластины кремния; диэлектриком служит слой двуокиси кремния. Конденсаторы могут выполняться также на основе использования емкостей обратно смещенных р-п-переходов. [29]
 |
Сечение диф. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5