Полупроводниковый слой

Cтраница 1

Полупроводниковый слой покрывается прозрачным лаком для защиты от влаги. [1]

Полупроводниковый слой наносится обычно на металлическую подложку, образуя электрографическую пластину. Для очувствления его заряжают в темноте до высокого потенциала, который, если на пластину не действуют свет или ионизирующее излучение, удерживается в течение длительного времени. Затем такая заряженная пластина ( предварительно помещенная в светонепроницаемую кассету) подвергается экспонированию, как обычная рентгеновская пленка при просвечивании. Под влиянием рентгеновского излучения полупроводниковый слой становится про водящим и потенциал пластины падает. Сопротивление каждого участка фотопроводящего слоя изменяется в соответствии с количеством лучистой энергии, попавшей на данный участок. В результате на слое полупроводника образуется скрытое электростатическое изображение, которое затем проявляется мелким наэлектризованным порошко. [2]

Устройство и включение фоторезистора ( а и его условное обозначение ( б. [3]

Полупроводниковый слой покрывается прозрачным лаком для защиты от влаги. [4]

Полупроводниковый слой покрывается прозрачным лаком для защиты от влаги. Пластину помещают в корпус с двумя штырьками, к которым присоединяются электроды. Условное обозначение и схема соединения фоторезистора показаны на рис. 18 - 8, виг. [5]

Полупроводниковые слои на металлах, полученные электрохимическим оксидированием, превышают естественную пленку по толщине на 2 - 3 порядка. Эти пленки состоят из аморфной и кристаллической фаз, причем первая превалирует. Естественная оксидная пленка на металлах обычно весьма тонка - всего 5 - 50 нм, а иногда и менее. [6]

Полупроводниковый слой должен быть защищен от атмосферных воздействий герметизацией в стеклянном или пластмассовом корпусе. [7]

Полупроводниковый слой фоторезисторов получается методом испарения в вакууме, прессования и спекания из полупроводникового порошка тонких пластинок, химическим осаждением, изготовлением пластин из монокристалла. [8]

Полупроводниковый слой фоторезисторов получают методом испарения в вакууме, прессования и спекания из полупроводникового порошка тонких пластинок, химическим осаждением, изготовлением пластин из монокристалла. [9]

Прозрачные полупроводниковые слои применяют также в электролюминесцентных панелях, служащих для освещения контрольно-измерительных установок, и в транспортных сигнальных устройствах. Полупроводниковые пленки используют для снятия электрических статических зарядов со стеклянных стенок различных приборов и для выравнивания градиента напряжения изоляторов. [10]

Внешний вид фотосопротивлсний из PbS. [11]

На полупроводниковый слой затем накладываются электроды, и вся эта система помещается в патрон. [12]

Толщины полупроводникового слоя и коммутационных шин ( а в итоге высота термоэлемента в целом) выбираются близкими к оптимальным с учетом особенностей конструкции и технологий их изготовления, требований к прочности, надежности и ресурсу работы. [13]

Удаление полупроводникового слоя производилось путем прогрева пластин в термостате до температуры 250 С в течение 1 - 2 мин. Опыты показывают, что при этих условиях селен возгоняется без остатка, а люминофоры остаются, прочно удерживаясь на поверхности. [14]

Конструкция тонкопленочного транзистора. [15]

Страницы: 1 2 3 4