Полупроводниковый слой

Cтраница 2

Толщина полупроводникового слоя обычно не превышает 1 мкм, а расстояние между истоком и стоком находится в пределах от 5 до 50 мкм. [16]

Когда на полупроводниковый слой начинает действовать свет, возникает ток проводимости, который различен дл. Элементарные конденсаторы разряжаются до разного уровня. [17]

После очистки полупроводниковый слой селенированного цилиндра сохраняет некоторый электростатический заряд, образовавшийся вследствие трения меховых щеток об его поверхность. Для его удаления используют явление внутренней фотопроводимости: поверхность цилиндра засвечивают лампой и электростатический заряд стекает на основу. После этого поверхность цилиндра подготовлена для нового цикла работы. [18]

На поверхности полупроводникового слоя путем экспонирования образуется скрытое электростатическое изображение оригинала в заданном масштабе. Скрытый электростатический рельеф изображения получают на основе внутреннего фотоэффекта некоторых полупроводников, способных резко уменьшать сопротивление, то есть увеличивать электропроводимость при действии света. [19]

Процессы зарядки полупроводникового слоя, экспонирования полностью автоматизированы. [20]

При освещении полупроводникового слоя в нем, благодаря внутреннему фотоэффекту, появляются свободные электроны. Проходя ( в процессе хаотического движения) через запирающий слой в металл и не имея возможности перемещаться в обратном направлении, эти электроны образуют в металле избыточный отрицательный заряд. Полупроводник, лишенный части своих электронов, приобретает положительный заряд. [21]

Когда подложка полупроводникового слоя хорошо проводит электрический ток, градиент потенциала заряженного слоя, как это показано на рис. 33 а, на границе его с подложкой равен нулю. [22]

Иногда обработка полупроводникового слоя для создания р - п-ттерехода проводится, когда уже нанесен верхний металлический электрод. Бывают случаи обработки полупроводника в отсутствие обоих электродов. Последние создаются уже после образования в полупроводниковом слое р - n - шерехода. В некоторых фотоэлементах р - / г-переход образовывается в процессе нанесения верхнего электрода. [23]

Когда толщина полупроводникового слоя ( или размер кристаллита) становится сравнимой со средней длиной свободного пробега носителей заряда в пленке, рассеяние носителей на ее поверхности приводит к снижению подвижности. Например, если подвижность носителей заряда в массивном материале составляет 10Э см2 / ( В-с) и эффективная масса 0 lw0, то среднее время между столкновениями приблизительно равно 5 - 10 - 14 с, а средняя длина свободного пробега 15 нм. Эта цифра указывает на порядок толщины пленки, при которой становится важным учет эффектов рассеяния. Для пленок, толщина которых превышает 100 нм, эти эффекты обычно незначительны. [24]

Процесс нанесения селенового полупроводникового слоя на металлическую подложку достаточно трудоемок и сложен. Однако селеновые электрофотографические покрытия имеют более высокую чувствительность, чем, например, доступные и дешевые слои с окисью цинка. Если имеется возможность приобрести селен, следует работать именно с селеновыми слоями. [25]

Схема ксерографического процесса. [26]

Электрография на полупроводниковых слоях с бумажной подложкой была разработана и впервые технически реализована в 1954 г. Американской радиокорпорацией ( RCA); соответствующий способ получил за рубежом название Электрофакс. [27]

Если локально облучить полупроводниковый слой электронами, то генерируются электронно-дырочные пары, которые в месте попадания электронов повышают проводимость на несколько порядков. Металлическая контактная пленка 4 через уменьшившееся сопротивление облучаемого участка полупроводникового слоя 3 оказывается подключенной к резистивному слою 2 в месте попадания электронного луча. [28]

Вольт-амперная характеристика для полупроводникового слоя носит более сложный характер из-за влияния пространственного заряда в полупроводнике In / - ( U Uo) Vt, где UD - диффузионный потенциал. [29]

Так как сопротивление полупроводникового слоя велико, то саморазогрев может привести к значительному перегреву оксидного покрытия, спеканию кристаллов покрытия и разрушению катода. [30]

Страницы: 1 2 3 4