Полупроводниковый слой

Cтраница 3

При меньших толщинах полупроводникового слоя окислов поведение окисленных электродов оказывается более сложным. [31]

Сенсибилизация фотохимического процесса в полупроводниковых слоях BiI3 / / Журн. [32]

Первый способ удобен для нанесения полупроводникового слоя на большие плоские поверхности. [33]

Ксерорадиографический метод основывается на способности высокоомного полупроводникового слоя, нанесенного на проводящую подложку, удерживать электрический заряд и изменять его величину в зависимости от интенсивности действующего электромагнитного излучения. [34]

Вследствие ухода атомов кислорода в полупроводниковом слое образуется избыток атомов бария 4 - они обеспечивают наличие в покрытии электронов проводимости. [35]

Имеются указания, что введение в полупроводниковый слой трифенилметановых красителей ( кристаллического фиолетового, малахитового зеленого и др.), обладающих собственной высокой проводимостью, повышает общую светочувствительность слоя. [36]

Это означает, что оптимальная толщина полупроводникового слоя, найденная с учетом массы всей установки, во столько же раз больше значения 5gT, полученного с учетом массы только ТЭГ, во сколько раз масса всей установки при dgy больше массы ТЭГ. [37]

Для проявления скрытого электростатического изображения поверхность полупроводникового слоя посыпают сухим красящим порошком, проявляющим частицам которого сообщен заряд, противоположный заряду электростатического рельефа изображения. Силами электростатического притяжения разноименных зарядов частицы красящего вещества надежно удерживаются на поверхности полупроводникового слоя. [38]

Затем пластинка с нанесенным на нее полупроводниковым слоем помещается в эбонитовую или пластмассовую оправку с окошком. [39]

Распределение электрического поля в р - г-л - структуре при. [40]

В реальных приборах вместо идеального i-слоя используют полупроводниковый слой со слабой электронной ( v-слой) или дырочной ( я-слой) проводимостью. При этом в поверхностно-барьерных диодах и в р - - п - или р - п-п - структурах электрическое поле сосредоточивается практически только в вы-сокоомной области полупроводника. [41]

Термическое осаждение из газовой фазы позволяет получать изоляционные, проводниковые и полупроводниковые слои. Перенос вещества осуществляется газом-носителем. Наиболее часто термическое осаждение из газовой фазы используется для нанесения пленок окиси кремния и полупроводниковых пленок на поверхности кремния или сапфира. [42]

При чрезмерно высоком обратном напряжении происходит пробой полупроводникового слоя. Медно-закисные вентили при этом выходят из строя, а селеновые часто самовосстанавливаются за счет оплавления места пробоя аморфной модификацией селена, являющейся диэлектриком. [43]

При чрезмерно высоком обратном напряжении происходит пробой полупроводникового слоя. Меднозакисные вентили при этом выходят из строя, а селеновые часто самовосстанавливаются за счет оплавления места пробоя аморфной модификацией селена, являющейся диэлектриком. [44]

Световые характеристики веп-тплыюп 1 фотоэлемента при различных нагрузочных сопротивлениях ( 1. Нагрузка увеличивается от верхней кривой к нижней. [45]

Страницы: 1 2 3 4