Cтраница 4
Все носители, возникающие в той части полупроводникового слоя, к-рый простирается от р - - перехода на расстояние больше L, рекомбини-руют ц в возникновении фотоэдс участия не принимают. [46]
Достаточно закрыть затвор, как практически мгновенно весь полупроводниковый слой приобретет свое прежнее высокое омическое сопротивление и заряды фактически перестанут уходить. Точнее говоря, стекание зарядов будет продолжаться, но, во-первых, достаточно медленно и, во-вторых, равномерно со всего слоя в целом. Иными словами, будет различна плотность отрицательных зарядов у различных участков, они как бы образуют скрытое изображение снимаемого объекта. [47]
Коэффициент вторичной эмиссии сурьмяно-цезиевого эмигтера зависит от толщины полупроводникового слоя, возрастая с увеличением толщины примерно до 40 нм и затем снова снижаясь. [48]
Между заряженными частицами красителя и зарядами на поверхности полупроводникового слоя действуют кулоновские силы притяжения или отталкивания в зависимости от их знаков, поэтому количество осажденного на определенном участке ксеро-графической пластины проявителя связано с величиной остаточного потенциала на этом участке. Таким образом, на ксерорадиографической пластине получают видимое изображение теневой проекции объекта, которое либо можно наблюдать непосредственно, либо переносить на бумагу и хранить в качестве документа контроля. [49]
Эпитаксия представляет собой процесс наращивания из газовой фазы тонкого полупроводникового слоя толщиной 10 - 15 мкм на полупроводниковую подложку с любым типом электропроводности. При этом кристаллическая решетка выращенного слоя является точным продолжением кристаллической решетки подложки. Эпитаксиальный слой и подложка разделены р - / г-переходом, который обычно используют в качестве изоляции. [50]
Пластинка состоит из металлической основы, на которую наносят полупроводниковый слой. В темноте поверхность этого слоя способна воспринимать и удерживать электрический заряд. Под действием ионизирующих излучений заряд утекает через металлическую подложку. Утечка зависит от интенсивности излучения. Поэтому после просвечивания на поверхности пластины остается скрытое электростатическое изображение контролируемого участка изделия. Изображение становится видимым после напыления на пластины тонкоразмельченного порошка, которому предварительно сообщается электрический заряд, имеющий знак, противоположный знаку заряда полупроводникового слоя. [51]
Единственная разница лишь в том, что в фотоэлементе полупроводниковый слой подвергается облучению фотонами, а в атомной батарее - быстрыми электронами. [52]
Улучшение характеристик ТЭГ в результате разнесения при неизменной толщине полупроводникового слоя достигается вследствие резкого увеличения перепада температур на термоэлементах. Однако для каждого полупроводникового вещества имеется ограниченная область температур, в которой оно может быть эффективно использовано. [53]
На качество перенесенного изображения большое влияние оказывает структура поверхности полупроводникового слоя. Электрофотографические бумаги на основе окиси цинка, имеющие в сравнении с селеновыми слоями более шероховатую поверхность, менее пригодны для воспроизведения изображений методом переноса. В этом случае значительная часть красителя вследствие сцепления с поверхностью слоя не переходит на бумагу. [54]
Действие твердых выпрямителей основывается на односторон; ней проводимости полупроводникового слоя, каковым обычно является слой селена, нанесенный на никелированный железный диск и покрытый сверху катодным сплавом олова, висмута и кадмия. [55]