Нарушенный слой
Cтраница 1
 |
Барабан для крепления отрезного диска с внутренней режущей алмазной кромкой. [1] |
Нарушенный слой образуется при любой абразивной обработке полупроводника. [2]
 |
Схема процесса выращивания монокристалла методом Чохральского. [3] |
Двойной нарушенный слой удаляется с помощью полировки. При этом неровности поверхности доводятся до уровня сотых долей микрометров и менее. Выравнивание поверхности при механической полировке обеспечивается с помощью еще более мелкозернистых, чем при шлифовке, микропорошков и суспензий. Кроме механической полировки используется также химическая полировка или травление. Она сводится по существу к растворению поверхностного слоя полупроводника в химическом реактиве. Стравливание выступов протекает более активно, и поверхность выравнивается. [4]
Природа нарушенного слоя на поверхности молотого кварца была уже описана в начале раздела, посвященного растворимости, а аномальная растворимость такого слоя обсуждается в гл. В том случае, когда необходимо использовать для измерения растворимости молотые порошки, важно исключить из рассмотрения наиболее высокорастворимые наружные слои и наиболее тонкие фракции. Бауман [2236] описал проблемы, встречающиеся при получении кварца с воспроизводимой растворимостью. Он нашел, что последующая адсорбция кремневой кислоты из раствора или нагревание очищенного порошка выше 800 С могут приводить к повторному образованию слоя с аномально высокой растворимостью. [5]
Остатки нарушенного слоя удаляются в реакционной камере непосредственно перед выр. [6]
Строение нарушенного слоя на поверхности подвергнутого механической обработке ( резке) монокристалла полупроводника показано на рис. 5.1, а. Глубина первой зоны составляет 0 3 - 0 5 высоты микронеровностей, образующихся на поверхности полупроводника после его механической обработки. Вторая зона толще первой в 3 - 6 раз и имеет мозаичную структуру. Между трещинами могут располагаться на глубине до 0 2 от общей глубины нарушенного слоя дислокации и дислокационные стенки. [8]
Помимо сплошного нарушенного слоя на поверхности полупроводниковых пластин ( подложек) могут иметься отдельные более глубокие нарушения в виде царапин или трещин, появляющихся из-за случайного попадания в абразив более крупных зерен. Такие нарушения при изготовлении маломощных приборов приведут к некоторому уменьшению процента выхода годных приборов. [9]
При формовке нарушенные слои материала удаляются, обнажается скелет катода, для которого возможно лишь очень слабое проявление названных механизмов. [10]
Для восстановления нарушенного слоя хромового покрытия старый слой хрома удаляют гальваническим путем, производят зачистку мелких механических повреждений, полируют оформляющие изделие детали пресс-формы и подвергают их повторному хромированию. [11]
Согласно этой гипотезе, нарушенный слой полностью не удаляется, но может быть сведен к минимуму. [12]
Позволяет определить суммарную глубину нарушенного слоя, включая рельефно-поликристаллическую или аморфную, трещиноватую и упруго-напряженную зоны в область повышенной плотности дислокаций. [13]
Все методы измерения толщины нарушенного слоя очень трудоемки и применяются только в лабораторных условиях на стадии отладки технологического процесса. [14]
 |
Схема, поясняющая Г требования к концентрации х, примесей в области эмиттера. э э. [15] |
Страницы: 1 2 3 4