Нарушенный слой
Cтраница 3
Химическое травление полупроводниковых материалов ( кристаллов, пластин) выполняют, чтобы удалить нарушенный слой, являющийся результатом механического разрушения монокристаллической структуры германия и кремния, а также загрязнения, появляющиеся при их механической обработке. [31]
Высокая точность и чистота обработки поверхности, а также малая толщина или отсутствие нарушенного слоя на пластинах и кристаллах необходимы, чтобы обеспечить высокую точность продвижения фронтов диффузии или вплавления в пределах единиц и даже долей микрона при создании электронно-дырочных переходов. [32]
Взаимосвязь между быстрорастворимым кремнеземом на поверхности частиц кварца в области микронных размеров и нарушенным слоем в дальнейшем была исследована Бергманом, Картрайтом и Бентли [149], которые пришли к заключению, что частицы размером менее 1 мкм содержали слишком много быстрорастворимого кремнезема и это невозможно объяснить только лишь за счет присутствия его мономолекулярного слоя. [33]
 |
Конструкция полупроводникового лазера. [34] |
В - ходе термообработки подложек перед началом эпи таксиального роста на их поверхности образуется нарушенный слой, обедненный мышьяком. Для его удаления применяют подтравливание подложки травильным раствором; глубина травления составляет 10 - 20 мкм. [35]
Дефекты, возникшие в процессе механической обработки подложек, можно устранить химической полировкой, когда нарушенный слой удаляется путем его стравливания. Поверхностные напряжения могут быть сняты, а аморфизированный слой восстановлен применением высокотемпературного отжига при 1300 - 1500 С. [36]
В случае плоскостных диодов и фототриодов, когда важно иметь большое обратное сопротивление, в нарушенном слое на поверхности полупроводника могут возникать проводящие каналы, которые шунтируют р-п переход ( фиг. [37]
Подготовленные таким образом пластины содержат на поверхности жировую пленку, различного рода примеси, а также нарушенные слои, вызванные абразивной обработкой. В последующих операциях отмывки и травления эти нарушения должны быть удалены. [38]
Методами прецизионной трехкристальной рентгеновской ди-фрактометрии, а также измерениями стационарной и нестационарной микро - твердости исследованы нарушенные слои на монокристаллическом кремнии п - и р-типи ( р 0 005 - г2000 Ом см), созданные шлифованием связанными или свободным абразивом. [39]
Подготовленные таким образом пластины содержат на поверхности жировую пленку, различного рода примеси, а также нарушенные слои, вызванные абразивной обработкой. В последующих операциях отмывки и травления эти нарушения должны быть удалены. [40]
К сожалению, энергетическое разрешение детектора ( 10 кэВ) не позволяет получить распределение дефектов по глубине нарушенного слоя. Однако использование вышеизложенной методики дает возможность характеризовать степень нарушения дефектного слоя посредством толщины поликристаллического слоя, вызывающего такое же рассеяние частиц. [41]
Дополнительными источниками избыточного тока становятся дефекты p - n - перехода в объеме или на поверхности полупроводника, нарушенные слои, царапины, трещины. [42]
Отчет должен содержать: 1) краткое описание методики травления; 2) график кинетических кривых при определении нарушенного слоя; 3) расчет глубины нарушенного слоя; 4) расчет плотности дислокаций; 5) выводы по работе. [43]
Поскольку в настоящее время известно и освоено много методов обработки полупроводниковых материалов с получением заданных параметров и отсутствием нарушенного слоя, необходимость травления отпадает. Травят кристаллы на стадии обработки полупроводниковых материалов при производстве некоторых типов устаревших сплавных полупроводниковых приборов. [44]
Отчет должен содержать: 1) краткое описание методики травления; 2) график кинетических кривых при определении нарушенного слоя; 3) расчет глубины нарушенного слоя; 4) расчет плотности дислокаций; 5) выводы по работе. [45]
Страницы: 1 2 3 4