Нарушенный слой

Cтраница 2

Если на Поверхности эмиттера Имеется Нарушенный слой, то переход должен быть удален на несколько величин L3 от границы этого слоя. [16]

После шлифовки на поверхности остается двойной нарушенный слой. Поверхностный слой характеризуется механическими нарушениями толщиной несколько микрометров. Под механически нарушенным слоем находится еще более тонкий кристаллически ( или физически) нарушенный слой: он характеризуется микроискажейиями в кристаллической решетке и остаточными механическими напряжениями, возникшими при шлифовке. [17]

При травлений ta - кой поверхности нарушенный слой удаляется и скорость поверхностной рекомбинации, как правило, падает. [18]

При повреждении клеевой пленки необходимо восстановить нарушенный слой, соблюдая при этом все правила, о которых было выше сказано. [19]

После калибровки на поверхности монокристалла образуется нарушенный слой глубиной 50 - 250 мкм в зависимости от скорости продольной подачи. [20]

Раздел Рекультивация нарушенных земель и снятие нарушенного слоя почвы заполняется по данным статотчетности. [21]

Полужидкостное трение - трение, происходящее при нарушенном слое смазки, когда трущиеся поверхности соприкасаются частично непосредственно или через граничный слой смазки и частично через сохранившийся толстый слой смазки. [22]

Механическая обработка кремниевых монокристаллических пластин.| Зависимость скорости травления кремниевых подложек от температуры для различных концентраций хлористого водорода в водороде ( числа над кривыми указывают концентрацию НС1 в объемных %. [23]

Окончательный выбор процесса обработки должен обеспечивать отсутствие влияния нарушенного слоя на электрические характеристики приборов и удовлетворять требованиям высокой разрешающей способности в последующих технологических процессах. На рис. 11 - 2 приведена схема механической обработки кремниевых пластин. Перед проведением эпитаксии применяется газовое термическое травление подложек, которое проводится в тех же аппаратах. [24]

Его производят для того, чтобы уменьшить величину нарушенного слоя, образовавшегося при резании, и получить требуемые геометрические размеры. Поверхности пластин после шлифования имеют Ra 0 1 мкм. Шлифование полупроводниковых материалов осуществляют свободным или связанным абразивом. По числу одновременно обрабатываемых поверхностей шлифование может быть односторонним и двусторонним. [25]

Параметры шероховатости поверхности. [26]

Поскольку зернистость алмаза отрезных кругов определяет шероховатость и глубину нарушенного слоя, то ее выбирают с учетом физико-механических свойств обрабатываемого материала полупроводника. [27]

Такая шлифовка позволяет получить чистоту поверхности около V10 и глубину нарушенного слоя кристалла 5 - 7 мкм, неплоскостность рабочей поверхности не хуже 1 мкм. [28]

В практике ремонтных работ нередко встречаются случаи, когда фундаменты имеют нарушенный слой гидроизоляции. При воздействии грунтовых вод слабой агрессивности ремонт гидроизоляция фундаментов необходимо производить холодной битумной грунтовкой или же покрывать их горячим битумом в два-три слоя. [29]

Пластина полупроводника после резки не обладает требуемыми размерами, формой и глубиной нарушенного слоя. Для исправления имеющихся в пластине дефектов ее подвергают абразивной обработке, являющейся в технологии подложек полупроводников промежуточной операцией. Такой обработке подвергают не только рабочую, но и обратную нерабочую сторону пластины. Неодинаковая обработка разных сторон пластины вызывает возникновение в ней остаточных механических напряжений и, как следствие, деформацию. Так, односторонняя шлифовка ( шлифование) и полировка ( полирование) тонких ( 100 - 150 мкм) пластин создает в них прогиб до 100 мкм. [30]

Страницы: 1 2 3 4