Cтраница 1
Запорный слой сужается, его сопротивление резко уменьшается, в цепи возникает большой прямой ток / пр. Таким образом, p - n - переход обладает ярко выраженной односторонней проводимостью. [1]
Запорный слой можно рассматривать как слой изолятора между двумя хорошо проводящими пластинами - металла и полупроводника, которые являются как бы обкладками плоского конденсатора. [2]
Запорный слой), к-рый ограничивает поток носителей, втекающих через него. Если носители вытекают из области, прилегающей к барьеру, с высокой скоростью благодаря дрейфу во внеш. Размер этой области близок к длине амбиполярного дрейфа. [3]
Запорный слой образуется преимущественно из материала периферийной зоны, и его формирование лроисходит с уменьшением толщины. Толщина запорного слоя становится малой, и силы внутреннего трения в нем препятствуют экструзии передающей давление среды. В этой фазе деформация контейнера происходит пластически и сопровождается уплотнением его материала. [4]
Запорный слой пропускает электроны практически лишь в одном направлении и не пропускает в другом. [5]
Запорные слои обычно имеют толщину порядка 10 - 5 см. Их присутствие резко сказывается лишь тогда, когда удельное сопротивление в слое на много порядков превышает сопротивление основной массы полупроводника. В частности, нескольку масса проводника подчиняется закону Ома и сопротивление ее не зависит от направления тока, асимметрию вносит только та часть общего сопротивления, которая приходится на запорный слой. [6]
![]() |
Зависимость дифференциального сопротивления полупроводникового выпрямителя от приложенного напряжения. [7] |
Запорный слой представляет собой непрозрачный для электронов энергетический барьер, равный еЕе ( Vx V) где VK - разность контактных потенциалов, а V - приложенная к слою внешняя разность потенциалов. [8]
Запорные слои обычно имеют толщину порядка 10 - - 5 см. Их присутствие резко сказывается лишь тогда, когда удельное сопротивление в слое на много порядков превышает сопротивление основной массы полупроводника. В частности, поскольку масса проводника подчиняется закону Ома и сопротивление проводника не зависит от направления тока, асимметрию вносит только та часть общего сопротивления, которая приходится на запорный слой. Положение изменяется, когда контакт сосредоточен на весьма малой поверхности острия, прикасающегося к полупроводнику. В этих условиях масса полупроводника не затемняет выпрямительных эффектов запорного слоя и особенности запорного слоя выступают более резко. [9]
Запорный слой станет утончаться и может совсем исчезнуть. [10]
Запорный слой образуется преимущественно из материала периферийной зоны, и его формирование лроисходит с уменьшением толщины. Толщина запорного слоя становится малой, и силы внутреннего трения в нем препятствуют экструзии передающей давление среды. В этой фазе деформация контейнера происходит пластически и сопровождается уплотнением его материала. [11]
![]() |
S. Вольт-ам. срн. я характеристика термистора. [12] |
Запорные слои между зернами карборунда образуются уже после недолгого пребывания на воздухе. Это убедительно показывает следующий опыт, проделанный Курчатовым, Костиной и Русиновым: было измерено удельное сопротивление стержня из сплавленного карборунда, которое оказалось равным 7 5 он-см. Такое возрастание сопротивления можно объяснить только наличием запорных слоев между зернами. Карборунд - вещество с хорошей объемной проводимостью, приобретает большое сопротивление при наличии барьерных слоев, образовавшихся после пребывания в воздухе вследствие поверхностного окисления. [13]
![]() |
Образование слоя объемного. [14] |
Запорные слои полупроводников обладают свойством, которое обеспечило им большое практическое значение: сопротивление запорного слоя различно для разных направлений тока. Поэтому, прикладывая к такому слою переменное напряжение, мы получаем более сильный ток одного направления ( это направление называют пропускным), чем противоположного, называемого запорным. [15]