Запорный слой

Cтраница 2

Запорные слои полупроводников обладают свойством, которое обеспечило им практическое значение: сопротивление запорного слоя различно для разных направлений тока. Поэтому, прикладывая к такому слою переменное напряжение, мы получаем более сильный ток одного направления ( это направление называют пропускным), чем противоположного, называемого запорным. [16]

Схематический разрез.| Секция селенового столба. 7 - основной металл. 2 - слой селена. 3 - катодный сплав. 4 - контактный электрод. S и 6-шажы. 7 - радиаторы. 8 - изолирую - iiui гильза. 9 - шпилька. 10 - гайка. [17]

Запорный слой вентиля образуется в месте контакта селена с катодным слоем. На рис. 40 изображен схематический разрез селенового выпрямительного элемента. Здесь / - стальная или алюминиевая основа; 2-никелевое или висмутовое покрытие основы; 3 - слой селена; 4-напорный слой; 5 -слой сплава олова, висмута и кадмия. [18]

Относительная спектральная чувствительность вакуумных фотоэлементов с катодами из различных материалов ( V - катод, чувствительный к красному свету.| Схема фотоэлектронного умножителя ( ФЭУ.. - фотокатод. 2-сетчатые диноды. 3 - анод. [19]

Запорным слоем называют граничный слой между полупроводниками с р-и га-проводимостью. Ток в обратном направлении ( обратный ток) возможен при освещении. [20]

Полупогруженный электрод. [21]

Запорным слоем электродов служит мелкопористая гидрофильная подложка или более гидрофильный наружный слой катализатора. [22]

Торможение диффузии углерода в железо барьерными покрытиями из меди, хрома, никеля, кобальта в твердом карбюризаторе при 950 - 980 С. время 6 ч. [23]

Другим инертным запорным слоем является олово. Покрытия из олова защищают металлы от проникновения в них азота. Азот нерастворим в олове и не образует с ним соединений при температуре до 800 С. [24]

Схема р - n - пере-хода. [25]

Этот запорный слой, являющийся следствием диффузии дырок в электронный полупроводник и электронов в дырочный полупроводник, образует потенциальный барьер, препятствующий переходу через контакт основных носителей заряда. Диффузионная электродвижущая сила ED направлена в запорном слое от электронного полупроводника к дырочному. [26]

Схема образования от границы ( х0 полупроводник становится электронным, т. е. в точке х0 имеет место переход от дырочной проводимости к электронной, так называемый р - n - переход. В этом случае выпрямление будет происходить не на границе полупроводника с металлом, а на р - n - переходе. Во всех выпрямителях, применяющихся на практике, выпрямление происходит на р - - переходе, однако в большинстве случаев это не физический р-п-пе-реход, а химический. [27]

Такие запорные слои называются физическими. [28]

Такие запорные слои называются химическими. [29]

Влияние запорного слоя на поляризацию электрода сказывается в том, что происходит падение напряжения в его порах, заполненных электролитом. Однако неясно, участвует ли запорный слой непосредственно в катодном восстановлении кислорода. Этого можно было бы ожидать, если бы скорость диффузии молекул кислорода в запорный слой, наполненный электролитом, и скорость токообразующей реакции были одного порядка или если бы вначале по реакции Берля получалась ШСЬ, которая диффундировала бы в запорный слой и там восстанавливалась электрохимически. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5