Запорный слой

Cтраница 3

Схема образования четырех составляющих тока через р - п переход.| Распределение объемного заряда при различной концентрации свободных носителей в материалах р - и п-типа. [31]

Ширина запорного слоя в полупроводнике колеблется от долей микрона до нескольких десятков микрон и зависит от концентрации доноров и акцепторов вблизи границы раздела. [32]

Ширина запорного слоя, обедненного носителями заряда, увеличивается, сопротивление его возрастает. В этом случае величина потенциального барьера повышается до значения Uaep USB ( см. рис. 199, б), количество основных носителей ( знаки - и без кружков) электричества, которые могут преодолеть увеличенный потенциальный барьер, будет невелико и диффузионный ток / ДИф резко уменьшится. В середине структуры возникает зона, в которой отсутствуют подвижные носители зарядов, но сохраняются объемные заряды атомов примеси - ионов доноров и акцепторов. Объемные заряды создают потенциальный барьер, уравновешивающий внешнее напряжение. При такой полярности внешнего напряжения ток через переход определяется неосновными носителями заряда, а так как концентрация их в десятки тысяч раз меньше, чем концентрация основных, то ток проводимости / Пр0в оказывается малым. [33]

Ширина запорного слоя не может увеличиваться безгранично, так как возникающая из-за диффузии разность потенциалов препятствует перемещению основных носителей в противоположные области. Разность потенциалов, называемая потенциальным барьером, в свою очередь зависит от разности концентраций носителей в одной и другой областях. Ширина запорного слоя обычно находится в пределах от долей микрона до нескольких микрон. [34]

Толщина запорного слоя g может быть определена измерением его емкости. Запорный слой можно рассматривать как слой изолятора между двумя хорошо проводящими пластинами - металла и полупроводника, которые являются как бы обкладками плоского конденсатора. [35]

Ширина запорного слоя обычно находится в пределах от долей микрона до нескольких микрон и зависит от удельного сопротивления полупроводника. [36]

Образование запорного слоя может быть исключено при применении материала керна, не реагирующего с оксидом, например электролитического никеля. Такие катоды плохо активируются, и для устранения этого недостатка в оксидное покрытие вводят мелкозернистые порошки, например из тория. [37]

Схема образования запорного слоя в полупроводниковом конденсаторе. [38]

Толщина запорного слоя d увеличивается с ростом запорного напряжения, а в соответствии с этим емкость запорного слоя снижается. Таким образом, изменяя величину напряжения, приложенного к такому конденсатору в запорном направлении, мы можем изменять его емкость. [39]

Влияние запорного слоя на поляризацию электрода сказывается в том, что происходит падение напряжения в его порах, заполненных электролитом. Однако неясно, участвует ли запорный слой непосредственно в катодном восстановлении кислорода. Этого можно было бы ожидать, если бы скорость диффузии молекул кислорода в запорный слой, наполненный электролитом, и скорость токообразующей реакции были одного порядка или если бы вначале по реакции Берля получалась ШСЬ, которая диффундировала бы в запорный слой и там восстанавливалась электрохимически. [40]

Появление запорного слоя может быть обусловлено поверхностными состояниями, рассмотренными в гл. Если на поверхности находятся атомы с большим сродством к электрону, например атомы кислорода, или имеются уровни, расположенные ниже дна зоны проводимости, то поверхность может захватывать электроны. При этом у поверхности полупроводника образуется слой положительных зарядов, как при контакте с металлом, когда часть электронов переходит с полупроводника на металл. [41]

Зависимость прямой проводимости от времени.| Характеристики выпрямления ( рабочие характеристики диода.| Схема для измерения коэффициента выпрямления.| Зависимость коэффициента выпрямления от частоты. [42]

Образование запорного слоя связано с электронными процессами; все же при переходе от состояния запирания к состоянию проводимости и наоборот иногда имеют место инерционные явления. Пропустим, как это показано на рис. 11 - 19, импульс тока через инерционный диод в пропускном направлении и проследим за возникающим на диоде напряжением. Мы получим показанную на рис. 11 - 19 справа кривую. [43]

Толщина запорного слоя выпрямителя определялась многократно по емкости. Порядок ее 2 - 10 - е до 1 - 10 - 5 см; заметные же отступления от закона Ома начинают появляться при 10 - 30 мкв, что соответствует полю в 1000 - 15 000 в / см. Совершенно аналогичные значения, и даже несколько меньшие, мы получали для хорошо обез-гаженной закиси меди. [44]

Удлиненная анодно-сеточная характеристика лампы. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5