Запорный слой
Cтраница 4
Пульсация запорного слоя электронно-дырочного перехода под воздействием приложенного к нему электрического переменного поля обеспечивает одностороннюю проводимость полупроводником диода. [46]
Пульсация запорного слоя электронно-дырочного перехода под воздействием приложенного к нему электрического переменного поля обеспечивает одностороннюю проводимость полупроводникового диода. [47]
 |
Типичная вольт-амперная характеристика п / п вентиля. [48] |
В запорном слое еще более уменьшится концентрация носителей тока, что равноценно резкому увеличению сопротивления слоя. [49]
 |
Схема модулятора на двух диодах.| Схема мостового диодного модулятора. [50] |
В запорном слое р - / г-перехода диода, являющегося изолятором, при повышении температуры увеличивается энергия свободных электронов, которая за счет ионизации увеличивает ток утечки. Соответственно увеличивается число носителей и падает сопротивление полупроводникового диода. [51]
 |
Внешний вид фотосопротивлений. [52] |
В запорном слое р - п-перехода возникает, как было отмечено выше, диффузионное электрическое поле, направление которого видно из рис. 179, а. При освещении фотоэлемента энергия квантов ftv затрачивается на образование в верхнем полупроводниковом слое электронно-дырочных пар. Под воздействием диффузионного поля р - и-перехода дырки переходят в область р, а электроны остаются в области п, вследствие чего нижний электрод заряжается положительно, а верхний - отрицательно. Чувствительность селеновых фотоэлементов зависит от длины волны падающего света, находится в узкой видимой части спектра ( рис. 179, б) и доходит до 500 мка / лм. [53]
 |
Внешний вид фотосопротивлений. [54] |
В запорном слое р - п-перехода возникает, как было отмечено выше, диффузионное электрическое поле, направление которого видно из рис. 179, а. При освещении фотоэлемента энергия квантов uv затрачивается на образование в верхнем полупроводниковом слое электронно-дырочных пар. Под воздействием диффузионного поля р - я-перехода дырки переходят в область р, а электроны остаются в области п, вследствие чего нижний электрод заряжается положительно, а верхний - отрицательно. Чувствительность селеновых фотоэлементов зависит от длины волны падающего света, находится в узкой видимой части спектра ( рис. 179, б) и доходит до 500 мка / лм. [55]
При тонком запорном слое эти дырки не играют существенной роли и формула (11.3) диодной теории еще справедлива. При толстом запорном слое может уже наблюдаться заметное отступление от формулы (10.13) диффузионной теории. При фо og 2jx, когда расстояние от уровня химического потенциала до вершины заполненной зоны у границы, равное Sg - f - [ A - фо, станет меньше, чем расстояние от химического потенциала до дна зоны проводимости в объеме - [ л, концентрация дырок у границы pi превысит концентрацию электронов в объеме по и проводимость приповерхностного слоя будет превышать проводимость объема. [56]
 |
Образование р-л-перехода при контакте полупроводника с металлом. [57] |
При тонком запорном слое эти дырки еще не играют существенной роли и формула ( 46) диодной теории еще справедлива. При толстом запорном слое может уже наблюдаться заметное отступление от формулы ( 41) диффузионной теории. [58]
Так как запорный слой имеет мелкопористую структуру, он остается заполненным электролитом при любом рабочем перепаде давления. Это обеспечивает отсутствие пробулькивания газа в электролит и его полное использование в электролитической реакции. На рис. 3.1 представлено схематическое изображение распределения газа и жидкости в подобном электроде. [59]
 |
Принцип действия точечного триода. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5