Запирающий слой

Cтраница 1

Вольт-амперная характеристика полупроводникового вентиля. [1]

Запирающий слой образуется между закисью меди, непосредственно прилегающей к материнской меди, не имеющей избыточного кислорода, и наружным слоем закиси, содержащей избыток кислорода. Прямое направление, согласно принципу действия, показанному на рис. 7 - 4, соответствует приложению положительного потенциала к слою закиси меди, а отрицательного к медной пластинке. Запирающий слой с диффузной разностью потенциалов образуется без приложения напряжения извне. Из отдельных пластин-шайб - собираются целые столбики, которые могут использоваться в разных измерительных схемах и приборах. В связи с малыми допустимыми плотностями тока меднозакнсные вентили не применяются как силовые. [2]

Запирающий слой возникает в селене на границе со сплавом. [3]

Запирающий слой представляет собой тонкий слой вблизи контакта, характеризующийся резким изменением потенциальной энергии электронов на протяжении слоя. Возникновение такого слоя связано с тем, что по обе его стороны происходит скопление электрических зарядов противоположных знаков. Образуется так называемый двойной электрический слой зарядов, взаимодействующих с теми зарядами, которые проходят через контакт. [4]

Схема устройства германиевого диода ( а и его условное изображение на электрических схемах ( б. [5]

Запирающий слой свободно проводит ток в одном направлении, называемом прямым, и почти не проводит тока в обратном направлении. Это свойство широко используют при изготовлении полупроводниковых диодов, служащих для выпрямления переменного тока. [6]

Запирающий слой 18, образовавшийся между селеном и сплавом, как мы уже знаем, пропускает ток только в направлении от селена к сплаву олова и кадмия. [7]

Запирающий слой на контакте металл - полупроводник обусловливает выпрямляющие свойства такого контакта при прохождении через него электрического тока. В равновесном состоянии диффузионный ток основных носителей, вызванный градиентом концентраций, будет компенсироваться дрейфовым током неосновных носителей в контактном поле. [8]

Запирающий слой неоднороден, так как средняя глубина проникновения диффундирующих частиц уменьшается с возрастанием их концентрации. Это объясняется сокращением времени существования ( времени жизни) частиц в обогащенной ими прослойке перехода. Электрическая нейтраль оказывается смещенной в сторону области с меньшей концентрацией примеси. [9]

Запирающий слой, расширяясь, перекрывает токопрово-дящий канал и увеличивает его сопротивление. [10]

Запирающий слой возникает в селене на границе со сплавом. [11]

Запирающий слой обеднен подвижными носителями зарядов, поэтому сопротивление этого слоя значительно выше сопротивления объемов полупроводника, лежащих за пределами слоя I. В действительности в слое I находится некоторое количество подвижных носителей заряда, так как электроны и дырки, обладая тепловой энергией, проникают в запирающий слой и отражаются полем § к. Кроме того, в запирающем слое могут протекать процессы генерации подвижных носителей заряда и их рекомбинации. Эти явления мы рассмотрим несколько позже, при обсуждении физических процессов в реальных приборах ( см. гл. Используя это идеализированное представление р-п перехода, определим основные физические величины. [12]

Запирающий слой подвергают формовке путем пропускания через него в течение нескольких часов тока в непроводящем направлении. Пространственные заряды, создающие запирающий слой ( рис. 4.4, б), располагаются по границе раздела полупроводников с р - и п-электро-проводностью. [13]

Запирающий слой сузится и его сопротивление уменьшится. [14]

Запирающий слой 18, образовавшийся между селеном и сплавом, пропускает ток только в направлении от селена к сплаву олова и кадмия. [15]

Страницы: 1 2 3 4