Запирающий слой
Cтраница 4
Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрометров. [46]
Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле, препятствующее как переходу электронов из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа, так и переходу дырок в полупроводник n - типа. В то же время электроны могут свободно двигаться из полупроводника р-типа в полупроводник n - типа, точно так же как дырки из полупроводника n - типа в полупроводник р-типа. Таким образом, контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через p - n - переход неосновных носителей ( так называемый дрейфовый ток / др) происходит снижение контактной разности потенциалов фк, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих достаточной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов фк. [47]
Образование запирающего слоя вблизи поверхности полупроводника не всегда связано с разностью работ выхода металла и полупроводника. [48]
Толщина запирающего слоя обычно не превышает нескольких микрон. [49]
Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. [50]
 |
Спектральная характеристика селенового фотоэлемента ( / и глаза ( 2.| Частотная характеристика селенового фотоэлемента. [51] |
Сопротивление запирающего слоя неосвещенного фотоэлемента лежит в пределах 103 - 104 ом. [52]
Пробой запирающего слоя селеновых шайб выпрямителя происходит из-за чрезмерного повышения напряжения генератора, перегрузки выпрямителя большим током, а также вследствие механического повреждения шайб. При пробое нескольких шайб уменьшается зарядный ток, при пробое всех шайб зарядный ток прекращается. Поврежденные шайбы легко отыскать; они нагреваются меньше, чем исправные. Работоспособность выпрямителя может быть восстановлена заменой негодных шайб. [53]
В запирающем слое, как уже отмечалось, электронейтральность полупроводников в результате ухода подвижных носителей заряда нарушена. Образовались нескомпенсированные объемные ( отрицательный и положительный) заряды неподвижных ионизированных атомов акцепторных и донорных примесей. [54]
В запирающем слое коллекторного перехода, обедненном подвижными носителями ( электронами, и дырками), образуются пространственные заряды за счет ионизированных примесей кристаллической решетки. Эти пространственные заряды играют роль емкостей, перезаряжающихся при каждом изменении стационарного состояния транзистора. [55]
Чем обусловлен запирающий слой в электронно-дырочном переходе и как он изменится, если к нему приложить прямое и обратное ндпря-жение. [56]
 |
Схема селенового фотоэлемента. [57] |
Сернистосеребряные ( запирающий слой - сульфид серебра) и сернистоталлиевые ( запирающий слой - сульфид таллия) фотоэлементы, так же как и селеновые, высокочувствительны. Они используются для измерения световых потоков в видимой и ближней инфракрасной области спектра, так как чувствительны к излучению в более широкой области, чем селеновые фотоэлементы. [58]
Сернистосеребряные ( запирающий слой - сульфид серебра) и сернистоталлиевые ( запирающий слой - сульфид таллия) фотоэлементы, так же как и селеновые, высокочувствительны. Они используются для измерения световых потоков в видимой и ближней инфракрасной области спектра, так как чувствительны к излучению в более широкой области, чем селеновые фотоэлементы. [59]
Чем обусловлен запирающий слой в электронно-дырочном переходе и-как он изменится, если к нему приложить прямое и обратное напряжение. [60]
Страницы: 1 2 3 4