Запирающий слой

Cтраница 3

Принцип устройства и условное.| Управляющие ( стокозатворные характеристики полевого транзистора с каналом п-типа, [ IMAGE ] - 4. Выходные ( стоковые характеристики полевого транзистора с каналом п-типа. [31]

Тогда запирающий слой в нем получается большей толщины. Обычно она не превышает нескольких микрометров. [32]

Изменение потенциальной энергии на границе электронного ( я и дырочного ( р полупроводников при наличии внешнего поля. [33]

Аналогичный запирающий слой может возникнуть и на границе полупроводник - металл. [34]

Действие запирающего слоя на границе металла с полупроводником существенно зависит от площади контактной поверхности. Запирающий слой появляется только при малых размерах контакта. Зависимость величины запирающего слоя от контактной поверхности объясняется неоднородностью примесных включений по объему полупроводника. Имеются небольшие области, где примеси присутствуют, есть области, где их нет. Запирающий слой образуется в местах скопления примесей. Там, где примесей нет, нельзя создать условия для резкого изменения сопротивления - - там сопротивления невелики. Если контактная поверхность велика, она захватывает объем с различными проводимостями полупроводника. [35]

Фотоэффект запирающего слоя был открыт в 1876 г. Адамсом и Дейем, наблюдавшими появление фотоэлектродвижущей силы при освещении палочки селена. [36]

Ширина запирающего слоя в р - и / г-слоях зависит от концентрации ионов примесей в слоях и тем меньше, чем больше концентрация примесей. [37]

Распределение концентрации примесей и свободных зарядов в полупроводнике с резким изменением проводимости ( NdNa. [38]

Ширину запирающего слоя можно определить из уравнения Пуассона, которое связывает плотность электрического заряда с изменением потенциала и напряженности электрического поля. [39]

Уширение запирающего слоя вызвано тем, что основные носители ( электроны в л-полупроводнике и дырки в р-полупроводнике) удаляются внешним полем от запирающего слоя в разные стороны, увеличивая его толщину. [40]

Образование потенциального. [41]

Толщина запирающего слоя изменяется в зависимости от величины и направления приложенного напряжения. [42]

Размеры запирающего слоя увеличиваются, сопротиЕшение р-п перехода также увеличивается. Направление результирующего тока противоположно направлению прямого тока, поэтому его называют обратным током. Напряжение, вызывающее обратный ток, называется обратным напряжением. [43]

Ширина запирающего слоя в р - и л-слоях зависит от концентрации ионов примесей в слоях и тем меньше, чем больше концентрация примесей. [44]

Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. [45]

Страницы: 1 2 3 4