Запирающий слой
Cтраница 2
 |
Фотоэлемент слоем. [16] |
Запирающий слой пропускает электроны практически лишь в одном направлении и не пропускает в другом. Таким образом, возбужденные электроны могут проходить через запирающий слой, создавая разность потенциалов. [17]
Запирающий слой отождествляют со слоем, п котором происходит переход потенциала от одного значения к другому. [19]
Запирающий слой ( переход) затвора, очевидно, будет обладать как активным сопротивлением, так и емкостью, распределенными по всей поверхности канала. Так как использование эквивалентных схем с распределенными параметрами весьма затруднительно, то емкость и сопротивление запертого перехода затвора относят к стоку и истоку в виде сосредоточенных сопротивлений и емкостей. [20]
Запирающий слой образуется на границе соприкосновения селена с пленкой золота. [21]
Запирающий слой обеднен подвижными носителями зарядов, поэтому сопротивление этого слоя значительно выше сопротивления объемов полупроводника, лежащих за пределами слоя I. В действительности в слое I находится некоторое количество подвижных носителей заряда, так как электроны и дырки, обладая тепловой энергией, проникают в запирающий слой и отражаются полем § к. Кроме того, в запирающем слое могут протекать процессы генерации подвижных носителей заряда и их рекомбинации. Эти явления мы рассмотрим несколько позже, при обсуждении физических процессов в реальных приборах ( см. гл. Используя это идеализированное представление р-п перехода, определим основные физические величины. [22]
Запирающий слой сузится и его сопротивление уменьшится. [23]
 |
Вольт-амперная ки. Наружный слой закиси, содержащий некоторый избыток кислорода ( около 0 03 % обладает дырочной проводимостью. [24] |
Запирающий слой образуется между закисью меди, непосредственно прилетающей к материнской меди, не имеющей избыточного кислорода, и наружным слоем закиси, содержащей избыток кислорода. Прямое направление, согласно принципу действия, показанного на рис. 7 - 4, соответствует приложению положительного потенциала к слою закиси меди, а отрицательного к медной пластинке. Запирающий слой с диффузионной разностью потенциалов образуется без приложения напряжения извне. Из отдельных пластин - шайб собираются целые столбики, которые могут использоваться в разных измерительных схемах и приборах. [25]
Запирающий слой коллектора обладает высоким сопротивлением для электронов, поступающих к нему из - германия, и вместе с тем свободно пропускает дырки в этом направлении. [26]
Запирающий слой селеновых выпрямителей находится на границе между селеном и селенистым кадмием; селен обычно является дырочным полупроводником, и прямой ток в селеновом выпрямителе направлен от полупроводника к верхнему электроду, а не к электроду-подложке, как в меднозакисном выпрямителе. [27]
 |
Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле i ( к р-и-переходу приложено прямое напряжение. [28] |
В запирающий слой исчезает. Сопротивление р-и-перехода резко снижается, и возникает сравнительно большой ток. Ток при этом называют прямым, а переход - открытым. [29]
Образуется запирающий слой и возникает контактная разность потенциалов, как и при контакте р - и я-областей. [30]
Страницы: 1 2 3 4