Диэлектрический слой

Cтраница 1

Диэлектрические слои из двуокиси кремния используются для: защиты поверхности полупроводниковой пластины от внешних воздействий; создания масок, через окна которых вводятся примеси и обеспечивается требуемая конфигурация отдельных полупроводниковых слоев; создания диэлектрика под затвором транзисторов со структурой металл - диэлектрик - полупроводник ( МДП); изоляции элементов ИС между собой. [1]

Принципиальная электрическая схема тонкопленочной гибридной ИС. [2]

Диэлектрический слой показывают Шт-рихпун ктирной ливней, а защитный слой - штриховой линией без штриховки защищенных участков. [3]

Диэлектрические слои в объемной структуре модулятора выполнены следующим образом: крайние слои из материала ФЛАН-10 ( Б 10) толщины 1 мм, а средний слой из фторопласта, армированного стекловолокном ( Б 3 54), толщины 0 12 мм. Толщина слоев металла не превышает 35 мкм. При сборке плоскости слоев диэлектриков с двухсторонней и односторонней металлизацией смачивались химически чистым толуолом до размягчения поверхности диэлектрика, собирались в пакет и сушились под прессом. Этим практически удалось исключить воздушные зазоры, возникающие в плоскости токонесущих проводников между слоями диэлектрика. [4]

Дисперсионные кривые четных ( а и нечетных ( 6 волн в комплексной плоскости. [5]

Диэлектрический слой представляет собою наиболее простую для анализа волноведущую структуру. [6]

Печатная катушка индуктивности. [8]

Диэлектрический слой в печатном конденсаторе должен выступать за пределы верхней обкладки не менее чем на 0 5 мм по периметру. [9]

Диэлектрический слой из ТЮ2 обладает высоким показателем преломления ( и 2 6), который позволяет исследовать металлические фазы. Напыляют такую толщину слоя, которая бы окрашивала металлическую поверхность в пурпурный цвет. Минимум интерференции лежит в желто-зеленой области спектра, в которой глаз обладает максимальной чувствительностью к разделению. В образцах с мартенситом и остаточным аустенитом в стали с содержанием 1 % С и 1 % Мп ( 1150 С, 1 ч, ледяная вода), с мартенситом на границах зерен хромоникелевой стали 18 / 10 ( 1300 С v 15 мин, вода 650 С 10000ч, воздух), а также на образцах мартенсита в сплаве железо - никель с 33 % № ( - 196 С, 10 мин) после напыления ТЮ2 благодаря интерференции напыленного слоя были различимы структурные составляющие ( независимо от их числа), расположенные одновременно рядом друг с другом. Разграничение фаз обычным травлением в данном случае невозможно. При интерференционном выявлении поверхность шлифа не изменяется, так как химического взаимодействия не происходит. Поэтому различные структурные составляющие реально воспроизводятся по величине и форме. Этот способ позволяет очень хорошо распознавать различные структурные образования в кубическом и тетрагональном мартенсите. [10]

Диэлектрический слой АЭК создается анодным оксидированием для создания алюминиевого оксидного слоя ( А12О3) фольги. [11]

Диэлектрические слои тонкопленочных микросхем получают осаждением моноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов А12О3, Та2О5, Nb2Oft, TiO2, нитрида кремния Si3N4) сернистой сурьмы SbS3, полимерных пленок. [12]

Туннельные характеристики систем РЬ - 8Юг - Si при Т 4 2 К. а - сквозная стационарная проводимость при положительном смещении. б - амплитуда второй гармоники сигнала, пропорционального проводимости ( образцы изготовлялись термическим окислением кремния n - типа, легированного сурьмой ( Nd 1 6 101 см-3 или фосфором ( Nd 1 2 10 см 3, с последующим, напыление пленки свинца толщиной 2000 А. [13]

Если диэлектрический слой структуры МДР содержит ловушки, локализованные на расстояниях менее 50 А от границы раздела ДП, то на кинетические зависимости тока может влиять туннельная перезарядка таких ловушек. [14]

Толщина диэлектрического слоя конденсатора должна быть не менее 0 05 мкм, а толщина металлических пленок электродов может изменяться в пределах от 0 5 до 2 0 мкм. [15]

Страницы: 1 2 3 4