Диэлектрический слой

Cтраница 2

Структура ( а и эквива - Если межДУ полупроводником И. [16]

Толщина диэлектрического слоя конденсатора должна быть не менее 500 А, а толщина металлических пленок электродов может изменяться в пределах от 5000 до 20 000 А. [17]

На диэлектрическом слое происходит деление интенсивности пучка в результате прохождения и отражения на естественной границе раздела. Амплитуда прошедшей и отраженной волн зависит прежде всего от их поляризации. Поскольку оптимальные условия для интерференции двух пучков имеют место тогда, когда электрические векторы колеблются перпендикулярно плоскости, содержащей оба пучка, будет уместно при описании прохождения и отражения света на границе ограничиться случаем поляризации пучков в плоскости падения. [18]

Преобразователь имеет диэлектрические слои из конденсаторной бумаги или целлофановой пленки. Верхний электрод смазывают трансформаторным маслом. Преобразователи и образец помещены в механическое устройство, которое обеспечивает их строгую соосность. При измерениях учитывается дифракционное расхождение ультразвука. Общая погрешность измерения не превосходит 0 3 дБ / мм. [19]

Аналогично случаю диэлектрического слоя с металлической подложкой поверхностные волны могут распространяться над цилиндрической и другими типами ребристых поверхностей. Поля в этом случае во внешнем пространстве и в канавках описываются с помощью цилиндрических функций целых индексов. [20]

Если толщина диэлектрического слоя приблизительно равна толщине поверхностного слоя в металле б, то величины обеих частей реактивной составляющей будут одного порядка. [21]

Присутствие такого диэлектрического слоя на катоде создает дополнительную емкость, которая включена последовательно с емкостью оксидного слоя на аноде. [22]

В качестве диэлектрического слоя здесь указана пленка AgCl, а слои, заменяющие металлические, выбраны в виде тонкой прозрачной пленки NaF. Эта пленка обладает малым показателем преломления по сравнению с показателями преломления призм NaCl и диэлектрического слоя AgCl. Известно, что если среда с малым показателем преломления образует тонкую прослойку между двумя средами с большим показателем преломления, то свет, падающий на границу раздела под углом полного внутреннего отражения, будет частично проникать через эту прослойку, и в тем большей степени, чем меньше толщина. Благодаря этому свойству такая пленка заменяет собой полупрозрачный металлический слой, отличаясь существенно от него тем, что не поглощает сама света. [23]

Электрическое сопротивление диэлектрического слоя не зависит от уровня его освещенности, поэтому запись и всю технологическую обработку носителя проводят на свету. [24]

Конструкции диодов Шоттки ( Me - металл с охранным кольцом ( и и с тонким окислом по периферии контакта и расширенным электродом ( б. [25]

Для устранения диэлектрического слоя после травления окисла непосредственно в вакуумной - камере перед распылением металла может проводиться, например, ионно-плазменная очистка поверхности Si ионами аргона. [26]

В случае диэлектрического слоя электрическое поле определяется как U Id, где if / - приложенное напряжение; d - толщина диэлектрика. [27]

Исключая введение промежуточного диэлектрического слоя, что обсуждается в следующем параграфе. [28]

При этом создается диэлектрический слой двуокиси кремния толщиной 0 1 1 мкм. [29]

Таким образом, диэлектрический слой окиси алюминия оказывается покрытым сверху пористым слоем гидроокиси, который осуществляет функции механической защиты и предохраняет диэлектрический слой окиси алюминия в готовом конденсаторе от растворения в рабочем электролите при складском хранении. [30]

Страницы: 1 2 3 4