Диэлектрический слой

Cтраница 3

При этом создается диэлектрический слой двуокиси кремния толщиной ОД... [31]

Делитель пучка ( BS с классическими полями на входе и выходе.| Делитель пучка с квантовыми полями. [32]

Для случая одного диэлектрического слоя, фазы отраженной и прошедшей волн всегда отличны на тг / 2, при условии, что с обеими сторонами делителя контактирует одинаковая среда. Это положение также справедливо в общем случае для любого делителя с симметричным распределением слоев. Однако согласно Стоксу ( Stokes, 1849) четыре величины г, t, r, t должны удовлетворять следующим соотношениям взаимности ( см. также Born and Wolf, 1980, разд. [33]

При этом толщина диэлектрического слоя обычно не должна превышать десятых долей микрометра. [34]

Возможны измерения под диэлектрическим слоем толщиной до 0 3 мм. В приборах используются трансформаторные ВТП. [35]

Кроме того, поскольку диэлектрический слой, как полагают, сам обладает электрической активностью, содержащийся в нем заряд может изменить эффективную высоту барьера. [36]

Структуры узлов при щелевой изоляции.| Структура ИМС с металлизацией в изолирующих областях. [37]

Изолирующие области 3 имеют диэлектрический слой 4 и заполнены поликристаллическим кремнием, легированным донбрной или акцепторной примесью. [38]

При достаточно большой толщине диэлектрического слоя реагирующие ионы не могут свободно проскакивать через слой. В этом случае доставка ионов к границам раздела, где происходят реакции с образованием окисла, обеспечивается процессами переноса диффузией в случае нейтральных частиц и дрейфа, если частицы заряжены. [39]

МДП-структу-ры, определяемая толщиной диэлектрического слоя. [40]

Однако минимальная толщина d диэлектрического слоя даже в случае выполнения требований по технологичности и воспроизводимости ограничена значением рабочего напряжения ир на конденсаторе. [41]

Схемы для измерения начальных токов транзистора [ IMAGE ] - 3. Простейшая схема для измерения Р. [42]

Для МОП-транзисторов опасен пробой диэлектрического слоя при возникновении на затворе заряда статического электричества. [43]

Временная зависимость относительной величины оставшегося в потенциальной яме заряда Q / Qo и эффективности переноса заряда ц. [44]

МДП-структу-ры, определяемая толщиной диэлектрического слоя. [45]

Страницы: 1 2 3 4