Диэлектрический слой

Cтраница 4

Основной частью этих систем является диэлектрический слой, находящийся в свободном пространстве или нанесенный на металлическую поверхность. Для простоты рассмотрим сначала простейшую из этих систем ( рис. 1, а), представляющую собой бесконечный диэлектрический слой, лежащий на плоскости с идеальной проводимостью. [46]

Если на плоском проводнике имеется достаточно толстый диэлектрический слой, то возможно распространение волн высших видов. Распределение электрического и магнитного полей образует одну или несколько синусоидальных полуволн в диэлектрике и экспоненциально затухает в окружающей воздушной среде. [47]

Термическое выращивание на поверхности подложки диэлектрического слоя двуокиси кремния Si02 обеспечивает электрическую изоляцию и защиту сверхчистого материала подложки от проникновения туда вредных примесей и атомов легирующего вещества в процессе локальной диффузии. [48]

Между пластинами плосщго конденсатора симметрично расположен диэлектрический слой ( е, 7), занимающий по толщине половину межэлектродного пространства. [49]

Между пластинами плоского конденсатора симметрично расположен диэлектрический слой ( е, 7), занимающий по толщине половину межэлектродного пространства. [50]

Определяют в спектре структуры кремний - диэлектрический слой - алюминий частоты максимумов полос поглощения и сравнивают их с частотами максимумов спектра структуры кремний - алюминий. [51]

Если на полированный металлический шлиф напылить диэлектрический слой с высоким показателем преломления, например из окиси титана, то разница в отражательной способности различных структурных составляющих вследствие многократного отражения увеличивается. При этом выявляется различие в окраске. [52]

Спектральное распределение эффективного квантового выхода Аи - n - GaAs-контакта ( приведено к числу падающих фотонов.| Изменение эффективного квантового выхода с напряжением смещения для. [53]

Это говорит о том, что промежуточный диэлектрический слой, который мог образоваться при обработке поверхности, в данном случае достаточно тонок. Для эпитаксиальных слоев GaAs с малой концентрацией электронов ток в барьере описывается теорией Шотки - Бете с учетом влияния Сил изображения, на величину барьера. [54]

Многократные отражения и преломления. [55]

Простейшим делительным элементом является плоскопараллельный или клиновидный диэлектрический слой. [56]

Кривая 2 представляет собой вольтамперную характеристику диэлектрического слоя, содержащего ловушки. [57]

Очевидно, что с увеличением толщины диэлектрического слоя число поверхностных волн будет увеличиваться. Их постоянные распространения для каждого конкретного случая могут быть определены из решения дисперсионного уравнения. [58]

Поэтому очевидно, что эффект адсорбции диэлектрического слоя должен изменить отрезок, отсекаемый в координатах уравнения Фаулера - Нордхейма на оси ординат, но наклон прямой ( из которого рассчитывается работа выхода) при этом не изменится. [59]

Страницы: 1 2 3 4