Ионный двойной слой
Cтраница 4
Термин псевдоемкость предложен Грэмом для того, чтобы отличить эту адсорбционную емкость ( а также диффузионную емкость) от емкости ионного двойного слоя, электрические свойства которой обычно близки к свойствам идеального конденсатора. [46]
 |
Схема установки для. [47] |
Поэтому изменение рф 0 должно быть скомпенсировано переходом соответствующего количества ионов i через границу металл - раствор и возникновением скачка потенциала А0 в ионном двойном слое. Раствор перестает быть нулевым, что подтверждается экспериментально. [48]
С другой стороны, влияние поверхностных состояний на распределение поля двойного слоя в полупроводнике качественно аналогично влиянию специфически адсорбированных ионов на распределение потенциала в ионном двойном слое. В обоих случаях происходит уменьшение скачка потенциала: я з8 или ij) 0 - за счет роста скачка потенциала в слое Гельмгольца. Поведение такого полупроводника с точки зрения двойного электрического слоя приближается к поведению метал - - лического электрода. [49]
С другой стороны, влияние поверхностных состояний на распределение поля двойного слоя в полупроводнике качественно аналогично влиянию специфически адсорбированных ионов на распределение потенциала в ионном двойном слое. В обоих случаях происходит уменьшение скачка потенциала: tys или г) 0 - за счет роста скачка потенциала в слое Гельмгольца. Поведение такого полупроводника с точки зрения двойного электрического слоя приближается к поведению металлического электрода. Строение границы раздела полупроводник - раствор было изучено X. [50]
С другой стороны, влияние поверхностных состояний на распределение поля двойного слоя в полупроводнике качественно аналогично влиянию специфически адсорбированных ионов на распределение потенциала в ионном двойном слое. В обоих случаях происходит уменьшение скачка потенциала: я з8 или ij) 0 - за счет роста скачка потенциала в слое Гельмгольца. Поведение такого полупроводника с точки зрения двойного электрического слоя приближается к поведению метал - - лического электрода. [51]
В этом уравнении JZLMW - гальвани-потенциал на границе электролит - металл, который входит как составная часть в общую величину электродного потенциала и обусловлен наличием ионного двойного слоя. [52]
В этом уравнении gLMw - гальвани-потенциал на границе электролит - металл, который входит как составная часть в общую величину электродного потенциала и обусловлен наличием ионного двойного слоя. [53]
Итак, адсорбционная псевдоемкость возникает вследствие фактического перехода заряда через границу раздела аналогично току утечки через обычный электрический конденсатор или ( в рассматриваемом случае) через конденсатор ионного двойного слоя, а не вследствие накопления заряда на одной обкладке конденсатора, приводящего к индукции заряда на другой стороне до величины, зависящей от разности потенциалов в конденсаторе. [54]
Страницы: 1 2 3 4