Поверхностный слой - кристалл
Cтраница 1
Поверхностный слой кристалла под влиянием внутренних сил притяжения находится в упруго-напряженном состоянии, а расположенные на поверхности элементы структуры ( молекулы, атомы, ионы) обладают большим запасом потенциальной энергии, чем находящиеся внутри кристалла, - кристалл обладает избыточной поверхностной энергией. [1]
Поверхностные слои кристалла в условиях периодически повторяющихся циклов сжатие-разгрузка поглощают вакансии при разгружении и возникающем недосыщении в основном со свободной поверхности и в силу се близости находятся в более благоприятной ситуации и привилегированном положении, чем объем кристалла. Таким образом, специфическая особенность данного случая заключается в том, что области максимального проявления эффекта диффузионной микропластичности находятся вблизи свободной поверхности твердого тела, которая является наиболее мощным и практически бесконечным источником и стоком вакансий. Причем процесс диффузионного образования вакансионных кластеров и дислокационных петель особенно резко интенсифицируется при циклическом нагружении, когда работает своего рода вакансионный насос [368-371], который при каждом цикле разгрузки кристалла засасывает вакансии со свободной поверхности, а при каждом цикле сжатия сбрасывает их на стоки ( вакансионные петли), которые с увеличением числа циклов быстро растут в своих размерах и становятся отчетливо видны металлографически ( см. рис. 109 - 111, 115 - 122 и др.), постепенно превращаясь из некоторого повышенного структурного фона ( рис. 117) во все более отчетливые ямки травления. [2]
Поверхностный слой кристаллов Са ( ОН) 2 сильно дефектен: много пор, микротрещин, сколов и пр. [3]
Поверхностные слои кристаллов минералов C3S, C2S, СзА, C4AF, а также различных их твердых растворов содержат различные типы дефектов ( точечные, линейные, поверхностные, объемные), которые обусловливают разную химическую активность соответствующих локальных точек или зон кристалла. [4]
 |
Пробеги и дисперсии пробегов ионов В и As с энергией Е0 в SiO.| Значения коэффициента а ( примесь В, маска SiO2 Ослабление пучка QS / Q. [5] |
Распыление поверхностного слоя кристалла в процессе ионного внедрения одновременно с проникновением ионов в глубину кристалла происходит вследствие отрыва атомов под действием ионов, энергия которых значительно превышает энергию связи атома на поверхности. Распыление мишени может оказать влияние на конечный профиль распределения ионов, а также привести к тому, что общее количество внедренных ионов окажется меньше дозы облучения. [6]
В поверхностных слоях кристалла ее образуется область объемного заряда. [7]
Вода растворяет поверхностный слой кристаллов или частиц, после ее испарения возможна перекристаллизация на гранях частиц и образование дополнительных кристаллизационных связей. При этом наблюдается явление истинной и кажущейся когезии. [8]
Однако в поверхностных слоях кристалла условие нейтральности может и не выполняться. Если кристаллы находятся в контакте с другой конденсированной фазой, то пространственный заряд может возникать в любой из фаз, при этом заряд на поверхности будет уменьшаться. К этому типу относится система двух одинаковых кристаллов, находящихся в непосредственном контакте друг с другом и отличающихся только содержанием дефектов. [9]
Быстрый обмен затрагивает поверхностные слои кристаллов апатита и, по-видимому, представляет собой обыкновенный изотропный обмен, подобный рассмотренному в главе 7 обмену ионов между раствором и кристаллическим осадком. Опыты с измельченными костями показали, что концентрация радиоактивного фосфора в кости изменяется параллельно с его концентрацией в растворе. Этот обмен охватывает около 20 % неорганического фосфора кости, быстро доходит до конца и не связан с химическими процессами. [10]
 |
Схематическое изображение распределения действующих ( а и остаточных ( б, в напряжений по поперечному сечению деформируемого образца. [11] |
Было показано, что поверхностные слои кристалла после разгружения, как правило, испытывают остаточные напряжения сжатия, а внутренние слои нагружены уравновешивающими растягивающими напряжениями. [12]
Это вызывает повышение энергии поверхностного слоя кристалла. Если для перемещения внутри тела атому необходима энергия и0, то для выхода в окружающую среду - шш причем wnw. Поэтому для соединения двух монокристаллов в один требуется извне деформационная или тепловая энергия. [14]
 |
Изменение нзобарио-нзо-термических потенциалов реакций взаимодействия металлов с окисью меди.| Изменение нзобарио-нзотерми-ческих потенциалов реакции взаимодействия металлов с закисью медн. [15] |
Страницы: 1 2 3 4