Cтраница 4
Существенная особенность электронографического метода состоит в том, что в дифракции электронов в данном случае принимают участие лишь поверхностные слои кристаллов, так как электроны сильно поглощаются даже в тонких слоях твердых тел. В силу этого электронография особенно успешно может быть применена для исследования тонких поверхностных слоев. [46]
Растворение вещества продолжается до тех пор, пока не наступит равенство химических потенциалов ионов в растворе и в поверхностном слое кристалла. При этом образуется насыщенный раствор, концентрация которого является мерой растворимости вещества. В нем жидкая и твердая фазы сосуществуют в динамическом равновесии. [47]
Из анализа приведенных топограмм следует, что в результате отжига при 2350 С в течение 5 ч в поверхностных слоях кристаллов вольфрама, деформированных изгибом без электрополировки, происходит только первая стадия полигонизации - образование коротких полигональных стенок. Удаление искаженного поверхностного слоя в процессе деформации либо после нее облегчает протекание полигонизации, и в результате отжига наблюдается образование четких, прямолинейных полигональных границ. Следует, однако, отметить, что наблюдается некоторая разница в характере полигональной структуры кристаллов, у которых искаженный поверхностный слой удалялся непрерывно в процессе деформации, и кристаллов, у которых этот слой был удален после изгиба. В первом случае наблюдается более полное протекание полигонизации, приводящее к образованию укрупненных полигональных блоков с большими углами разворота между ними. [48]
Силикатные стекла, содержащие А1203, в результате такой обработки способны упрочняться в еще большей степени вследствие образования в поверхностном слое кристаллов р-сподумена, обладающих ничтожным тепловым расширением; однако прозрачность стекла при этом уменьшается или вообще теряется. [49]
При погружении ионного кристалла в раствор, содержащий собственные ионы, довольно быстро устанавливается динамическое равновесие, при котором ионы поверхностного слоя кристалла переходят в раствор, но такое же количество их поступает в решетку из раствора. Первым процессом, приводящим к адсорбции радиоактивных изотопов, и является кинетический обмен ионами между поверхностью кристалла и раствора. В самом деле, если в растворе есть посторонние ионы, могущие входить в поверхностный слой кристаллической решетки осадка, то в результате такого обмена часть этих ионов перейдет в поверхностный слой кристалла. Этот вид адсорбции и называется первичной обменной адсорбцией. Совершенно очевидно, что ионы ThB будут обмениваться с ионами поверхности кристалла до тех пор, пока отношения обоих сортов ионов на поверхности и в объеме раствора не станут одинаковыми. [50]
При медленной кристаллизации осадка из насыщенного раствора макрокомпонента, содержащего микрокомпонент, в каждый момент времени может устанавливаться равновесие между поверхностным слоем кристаллов и раствором. Так как концентрация микрокомпонента в растворе непрерывно меняется, кристалл имеет луковичное распределение микрокомпонента. [51]
Потенциалобразующая адсорбция ионов радиоактивных изотопов, находящихся в крайне разбавленном состоянии, играет незначительную роль, так как избыток ионов какого-либо знака в поверхностном слое кристалла против стехиометрического отношения может образоваться лишь в присутствии весомых количеств элемента. Вместе с тем Потенциалобразующая адсорбция косвенно имеет большое значение для адсорбции радиоактивных изотопов, так как ее величина определяет общую емкость по отношению к вторичной обменной адсорбции. [52]
Потенциалобразующая адсорбция ионов радиоактивных изотопов, находящихся в крайне разбавленном состоянии, играет незначительную роль, так как избыток ионов какого-либо знака в поверхностном слое кристалла против стехиомет-рического отношения может образоваться лишь в присутствии весомых количеств элемента. Вместе с тем потенциалобразую-щая адсорбция косвенно имеет большое значение для адсорбции радиоактивных изотопов, так как ее величина определяет общую емкость по отношению к вторичной обменной адсорбции. [53]
Здесь число X характеризует первоначальный ( био графический) беспорядок на поверхности кристалла, а число Y - X - f Z - степень нарушения стехиометрии в поверхностном слое кристалла. В этом случа весь беспорядок имеет чисто биографическое происхождение: число адсорС ционных центров не будет меняться с температурой ( теория Лэнгмюра В другом частном случае при - F О могут совсем отсутствовать дефект типа А ( X 0), тогда адсорбционные центры появляются на поверхност при нагревании исключительно за счет распада дефектов С. Весь бесш рядок имеет чисто тепловое происхождение. [54]