Cтраница 2
Это вынуждаемое копирование строения поверхностного слоя кристаллов основного металла атомами расплава припоя наблюдается в течение всего периода взаимодействия. Отличие состоит лишь в том, что первые стадии взаимодействия характерны интенсивной миграцией образующихся структур ( комплексов атомов основного металла и припоя) в объем расплава зоны сплавления, а с момента достижения равновесного состояния жидкой фазы определяющим фактором взаимодействия на межфазной границе становится диффузия в твердую фазу. [16]
При испарении атомов в поверхностном слое кристалла образуются вакансии, которые диффундируют затем в глубь кристалла. Этим вакансиям уже нельзя сопоставить дислоцированные атомы; такого рода вакансии называются дефектами по Шоттки. Если речь идет о кристалле химического соединения, для сохранения электронейтральности должны быть вакансии как катионов, так и анионов. Недостаток заряда, возникающий при образовании вакансии в ионном кристалле, может быть скомпенсирован захватом вакансией электрона или дырки. Комбинация анионной вакансии и электрона называется F-центром, а комбинация кати-онной вакансии и дырки - У-центром. Оба эти вида - дефектов называются центрами окрашивания. Благодаря наличию F-цент-ров кристалл NaCI окрашивается в желтовато-коричневый, а КС1 - в голубой цвет. F-цептры, как правило, более устойчивы, чем 1 / - центры. [17]
Средняя работа отрыва частицы от поверхностного слоя кристалла, очевидно, может служить мерой связи частицы с кристаллом. Чем больше ф, тем прочнее частицы связаны с кристаллом. [18]
Применение дифракции медленных электронов для исследования поверхностного слоя кристаллов, а также адсорбционных слоев имеет существенное преимущество перед рентгеновским анализом. Действительно, даже самые мягкие рентгеновы лучи, имеющиеся в нашем распоряжении, все же проникают на глубину от 10 до 100 атомов и поэтому не могут дать никаких сведений относительно структуры и ориентации наружных слоев металлической поверхности, а также окклюдированного газа. [19]
А, происходит быстрое изменение координационных чисел поверхностного слоя кристалла от значений, характерных для структурных дефектов, вершин и ребер кристалла, до величин, отвечающих идеальным граням. Это изменение почти заканчивается, когда кристаллы достигают 40 - 50 А, чем и определяется неэффективность изучения свойств более крупных частиц при рассмотрении структурных дефектов в катализе. [20]
Предположим, кроме того, что в поверхностном слое кристалла содержатся дефекты еще иного сорта: пустые металлоидные узлы. Дефекты такого сорта ( пустой металлоидный узел, связанный с атомом металла) обозначены на рис. 2 символом С. [21]
Эту величину можно рассматривать как контактный скачок потенциала в поверхностном слое кристалла, обусловленный неодинаковой энергией образования положительных и отрицательных дырок при возникновении их на поверхности. [22]
Для адсорбции радиоактивных элементов из крайне разбавленных растворов в поверхностном слое кристалла имеет непосредственное значение лишь процесс первичной обменной адсорбции. Это объясняется тем, что в силу ничтожных концентраций радиоактивные элементы не могут обеспечить создания достаточного избытка одного из ионов на поверхности кристаллов, характеризующего первичную потенциалобразующую адсорбцию. Этот вид адсорбции имеет очень большое значение для аналитической химии. Что же касается адсорбции радиоактивных элементов, то здесь потенциалобразующая адсорбция оказывает лишь косвенное влияние, определяя общее количество вторично адсорбированных ионов. [23]
Сенсибилизирующие атомы или молекулы могут находиться в трех состояниях в поверхностных слоях кристаллов галоидного серебра, содержащихся в эмульсии. Группы атомов или молекул могут: 1) находиться на внешних поверхностях; 2) располагаться в областях структурных нарушений в непосредственной близости к поверхности; 3) входить как заместители в поверхностные слои, локализуясь в кристаллической решетке у вакантных узлов, отвечающих ионам галоида. [24]
При этом он исходит из представлений, согласно которым параметры решетки поверхностного слоя кристалла отличаются от параметров его внутренних слоев. Действительно, параметры решетки зависят от сил взаимодействия близлежащих атомов или ионов, образующих решетку. В гомеополярных кристаллах атомы внутренних слоев притягиваются большим числом атомов, чем атомы наружного слоя, и следовательно, параметры внутреннего слоя решетки будут меньше, чем наружного. В ионных кристаллах ионы внутреннего слоя испытывают отталкивание со стороны большего числа ионов, чем ионы в наружном слое. Поэтому в ионных кристаллах параметры внутренних слоев будут больше, чем наружных. [25]
При этом он исходит из работ, согласно которым параметры решетки поверхностного слоя кристалла отличаются от параметров его внутренних слоев. Действительно, параметры решетки зависят от взаимодействия близлежащих атомов или ионов, образующих решетку. [26]
Показано, что на начальной стадии пластическое течение протекает преимущественно в поверхностных слоях кристаллов. Протекание первой стадии аномального пластического течения приводит к образованию определенного градиента плотности дислокаций вблизи поверхности кристалла, препятствующего работе внутренних объемных источников, и к проявлению барьерного эффекта поверхности. Рассмотрены основные методические трудности изучения закономерностей пластического течения вблизи поверхности кристалла. [27]
В своих первых опытах Фолъмер и Эстерман [4] доказали, что молекулы поверхностного слоя кристалла весьма подвижны во время кристаллизации. [28]
В своих первых опытах Фольмер и Эстерман [4] доказали, что молекулы поверхностного слоя кристалла весьма подвижны во время кристаллизации. [29]
В заключение следует отметить, что возможность внедрения атомов или молекул сенсибилизатора в поверхностные слои кристаллов бромида серебра не может изменить интерпретацию результатов настоящей работы. [30]