Поверхностный слой - кристалл
Cтраница 3
Между тем при сравнительном изучении углеродистых материалов-необходимо иметь в виду, что свойства поверхностного слоя кристаллов значительно отличаются от свойств его внутренней части. Относительный объем поверхностных слоев крупнокристаллических тел невелик, и свойства этих тел обусловлены практически полностью внутренними частями кристаллов. Угли же, как показывают рентгенографические измерения, состоят из таких мелких кристаллов графита, что многие из них должны иметь всего три-четыре атомных слоя. Такие кристаллы нацело состоят из поверхностных слоев, и следует ожидать, что сложенные из них тела будут значительно отличаться по своим свойствам от крупнокристаллических тел. [31]
В этом случае в каждый момент времени в течение кристаллизации устанавливается равновесие только между поверхностным слоем кристалла и маточным раствором. [32]
Существенная особенность электронографического метода состоит в том, что в дифракции электронов принимают участие лишь поверхностные слои кристаллов, так как электроны даже в тонких слоях твердых тел сильно поглощаются. Поэтому электронография применяется главным образом для исследования тонких поверхностных слоев. [33]
Одним из факторов, препятствующих свободному выходу дислокаций на поверхность, могут быть различного рода твердые поверхностные слои кристалла, т.е. либо поверхностные слои должны иметь повышенную плотность дислокаций, либо поверхность должна быть покрыта пленками, например, окисными, ги-дроокисными, металлическими и др. С увеличением модуля упругости тонких пленок возрастает сопротивление выходу дислокаций. Другими характеристиками, заметно усиливающими сопротивление выходу дислокаций, могут быть: различие параметров решетки пленки и подложки, характер кристаллической структуры, степень поликристалличности. [34]
 |
Схема опыта по дифракции электронов ( Дэвиссон и Джермер. [35] |
Электроны небольшой энергии не проникают глубоко внутрь кристалла, поэтому значительная доля рассеянных электронов рассеивается поверхностным слоем кристалла так, что дифракция происходит в основном от плоской дифракционной решетки, образованной атомами кристалла, расположенными на его поверхности. [36]
Однако это соотношение выполняется строго только в том случае, если отклонение от стехиометрии в поверхностном слое кристалла невелико и заряженные участки составляют лишь небольшую часть от общей поверхности осадка. [37]
Поэтому при образовании поверхностной зоны движение электронов, находящихся в ней, осуществимо лишь в поверхностном слое кристаллов. [38]
Предполагают, что ион Na может замещать ион Са2 в решетке кальцита, что искажает строение поверхностного слоя кристаллов, приводит к ослаблению связей между ионами в решетке и ускоряет протекание электронных и ионных перемещений, из которых складывается процесс термического разложения СаСОз. Фтористые и хромистые соли образуют с СаСОз промежуточные соединения, твердые растворы, а также низкотемпературные эвтектические расплавы, возникновение которых также облегчает диссоциацию карбоната и сопровождается снижением температуры начала реакции. Сульфаты и фосфаты также катализируют реакцию разложения СаСОз, но эффективность влияния их невелика. Ускоряют диссоциацию СаСОз также МпО, В2Оз, FeS, NaNOa-И многие другие соединения. [39]
Вц - коэффициент равновесного распределения микрокомпонента между раствором, непосредственно примыкающим к границе раздела, и поверхностным слоем кристаллов; б - эффективная толщина слоя раствора около поверхности, в пределах которого конвекция не может выравнить концентрацию микрокомпонента; q - коэффициент диффузии микрокомпонента в жидкой фазе. [40]
Если в процессе образования осадка ( при логарифмическом характере распределения) в любой момент времени между поверхностным слоем кристалла и раствором будет успевать устанавливаться истинное равновесие и выпавшая твердая фаза не будет успевать перекристаллизовываться, то коэффициент кристаллизации К примет свое максимальное значение, равное D - коэффициенту кристаллизации при гомогенном распределении микрокомпонента в твердой фазе. Коэффициент кристаллизации А, в этом случае также является физико-химической константой, характеризующей данную систему. [41]
Первоначально возникшие молекулы СО2 окажутся адсорбированными, а ионы кислорода - так или иначе распределенными в поверхностном слое кристалла. [42]
На металлоидах возможен особый тип связи между хемосорбиро-ванными атомами, которая осуществляется электронами, находящимися в поверхностном слое кристалла. [43]
В следующей работе Фольмер и Адикари [ в ] двумя опытами доказали, что молекулы в поверхностном слое кристаллов бензофенона тоже способны перемещаться. [44]
 |
Рентгенограмма, снятая по методу вращения кристалла. [45] |
Страницы: 1 2 3 4