Скрытый слой

Cтраница 1

Автоассоциативная сеть с узким горлом - аналог правила обучения Ойа. [1]

Скрытый слой такой сети; так же как и слой Ойа: осуществляет оптимальное кодирование входных данных, и содержит максимально возможное при данных ограничениях количество информации. [2]

Структура транзистора монолитной ЙС с диэлектрической изоляцией ( поверхностный слой окиси кремния и межсоединения условно не показаны. [3]

Скрытый слой образуют путем диффузии в подложке р-типа до эпитаксиального наращивания. [4]

Нейроны скрытого слоя соединены по полносвязной схеме с нейронами выходного слоя, которые осуществляют взвешенное суммирование. Для нахождения значения весов от нейронов скрытого к выходному слою используется линейная регрессия. [5]

Одного скрытого слоя нейронов с сигмоидной функцией активации достаточно для аппроксимации любой границы между классами со сколь угодно высокой точностью. [6]

Одного скрытого слоя нейронов с сигмоидной функцией активации достаточно для аппроксимации любой функции со сколь угодно высокой точностью. Более того, такая сеть может одновременно аппроксимировать и саму функцию и ее производные. [7]

При наличии скрытого слоя в коллекторе образуется электрическое поле, направленное от подложки в сторону коллектора. В режиме насыщения это поле тормозит движение дырок, инжектированных из базы в коллектор, и накопление их происходит в относительно высокоомной части, прилегающей к переходу коллектор-база. [8]

При наличии скрытого слоя неравномерное распределение примесей в коллекторе приводит к образованию внутреннего электрического поля. Это поле для транзисторов, типа п-р - п направлено от подложки в сторону коллектора. Поэтому оно тормозит движение неосновных носителей ( дырок), инжектированных из базы в коллектор в режиме насыщения. При наличии скрытого слоя избыточные неосновные носители в режиме насыщения накапливаются в относительно высокоомной области коллектора, прилегающей к переходу коллектор-база. В этом случае подложка слабо влияет на распределение неосновных носителей в коллекторе и параметры транзистора близки к параметрам дискретного транзистора. [9]

Транзистор со скрытым слоем п - типа в коллекторе имеет оптимальное распределение примесей, позволяющее получить минимальное значение произведения гкС о и высокое пробивное напряжение коллекторного перехода. Подложка в этом случае не оказывает влияния на работу транзистора. [10]

Интегральные тиристоры с продольными ( а и поперечным ( б р-п - - транзистором. [11]

В таком тиристоре скрытый слой образует мощный эмиттер причем напряжение смещения между подложкой и эмиттером э2 избирается таким, чтобы изолирующий р-л-пе-реход был заперт. [12]

Активационная функция нейронов скрытого слоя - сигмоид, выходных нейронов - линейная. [13]

Многослойная сеть. [14]

Число нейронов в скрытом слое и число скрытых слоев определяется прикладной задачей, но чаще всего подбирается методом проб и ошибок. Чем сложнее связь между входными и выходными переменными, тем большее число нейронов в скрытом слое необходимо предусмотреть. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5