Скрытый слой

Cтраница 4

Противоречие частично разрешается, если инжекци-онпая структура формируется над скрытым слоем - ти-па, что одновременно приводит к увеличению aVN ( см. рис. 5.9 6) и коэффициента инжекции активной части эмиттерного р - - перехода п - р - - транзистора. [46]

Уидроу-Хоффа правило обучения - правило обучения сети с одним скрытым слоем. Оно является предшественником алгоритма обратного распространения ошибки и на него иногда ссылаются как на дельта-правило. Как известно, персептрон ограничивается бинарными выходами. [47]

Нейронная сеть имеет 2 входа, 2 нейрона в скрытом слое и 1 выход. [48]

Нейронная сеть имеет 4 входа, 2 нейрона в скрытом слое и 4 нейрона в выходном слое. [49]

Здесь Hk - количество узлов в k - м скрытом слое. [50]

Комбинированная изоляция образуется сочетанием боковой диэлектрической изоляции с изоляцией р-п-переходом скрытый слой - подложка. [51]

Для сети, сформированной в результате анализа вектора настроечных параметров скрытого слоя, вычисляются по ( 7) ( а не подбираются, как при слепом поиске) синаптические веса выходных нейронов. [52]

Оценив необходимое число весов, можно рассчитать число нейронов в скрытых слоях. [53]

Переходная функция объекта управления по координатам xl ( а и х2 ( б ( сплошная кривая и ее эмуляция сетью ( пунктир. [54]

Конечно, работать с сетью, содержащей 10000 нейронов в скрытом слое, можно, но вряд ли удобно. [55]

В начале работы алгоритма обучения с сокращением число нейронов в скрытых слоях сети заведомо избыточно. Затем из нейронной сети постепенно удаляются синапсы и нейроны. Существуют два подхода к реализации алгоритмов сокращения. [56]

В процессе обучения модифицируются 2т - мерные векторы си-наптических связей нейронов скрытого слоя. Для этого обычно используются алгоритмы градиентной оптимизации, например, обратного распространения ошибки. [57]

Для определения ключевых шаблонов и синтеза нейронной сети с минимальной структурой скрытого слоя был применен генетический алгоритм. [58]

Зависимости коэффициентов передачи тока в латеральном р - л-р-транзнсторе от параметров структуры ( а и режима ( б. [59]

Из рис. 5.9 а видно, что с увеличением глубины залегания скрытого слоя коэффициент переноса неосновных носителей рр вначале возрастает, что объясняется уменьшением вклада процесса рекомбинации дырок, выталкиваемых на поверхность встроенным полем, а затем падает, так как при удалении скрытого слоя путь неосновных носителей в базе увеличивается. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5