Скрытый слой

Cтраница 3

Простейшая модельная структура содержит один нейрон в скрытом слое. Структуры последовательно наращиваются на один нейрон, что соответствует увеличению числа настраиваемых параметров на 6 единиц. [31]

Из рис. 23 видно, что максимальный размер скрытого слоя ограничен количеством однотипных сегментов, образующих хромосому. В действительности же, в силу того, что мы вынуждены контролировать величину настроечных параметров, он всегда получается несколько меньшим. [32]

Оценив Nw, можно рассчитать число нейронов в скрытых слоях. [33]

В программе BrainMaker по умолчанию количество нейронов в скрытых слоях устанавливается равным количеству входов, но не менее десяти. [34]

Архитектура сети такова: 17-мерный входной вектор, один скрытый слой из 9 элементов, и все эти узлы имеют непосредственные соединения с двумя бинарными элементами выходного слоя. В табл. 6.9 приведены репрезентативные результаты классификации и влияния отдельных переменных. [35]

Схема р - n - переходов планарно-эпитаксиального транзистора. [36]

Влияние паразитного транзистора уменьшается, если под коллектором имеется скрытый слой, снижающий коэффициент усиления тока паразитного транзистора. [37]

KMOn / SIMOX-метод. 1 - [ IMAGE ] KMOn / FIPOS-метод. 1. [38]

В этих конструкциях непосредственно под областью формирования элемента создается скрытый слой окисла кремния В SIMOX-методе проводится глубокая имплантация ионов 0 с энергией 150 кэВ ( Rp 0 38 мкм), не нарушающая кристалличности в приповерхностном слое подложки, в результате чего на глубине 0 21 мкм создается скрытый окисный слой. [39]

Двухслойная сеть после прореживания связей и входных нейронов. Положительные связи выделены. [40]

Комбинируя эти связи с правилами, связывающими активности нейронов скрытого слоя с активностями выходных нейронов, получим окончательные классифицирующие правила. [41]

Двухслойная нейронная сеть. [42]

В данном случае функция ошибки зависит от векторов весов скрытого слоя и вектора весов, связаннвгх с ввхходнвш нейроном. [43]

В случае, когда нейронная сеть содержит более одного скрытого слоя с нелинейными функциями активации, выражения для определения значений ф ( г), соответствующих элементам матрицы частных производных, очевидно, становятся более сложными. [44]

Если образование паразитного слоя происходит путем испарения мышьяка из скрытого слоя, переноса его через газовую фазу с последующим осаждением на высокоомные участки пластин, то по результатам измерения толщины паразитного слоя можно определить концентрацию примеси на поверхности паразитного слоя. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5