Эпитаксиальные слой

Cтраница 1

Эпитаксиальные слои получают различными способами: напылением в высоком вакууме, кристаллизацией из раствора, расплава и при химическом взаимодействии. Свойства и структура эпи-таксиальных слоев определяются режимами технологического процесса и состоянием поверхности подложки. [1]

Эпитаксиальные слои выращиваются методами газо - и жидкофазной эпитаксии1, причем качество таких слоев обычно выше, чем объемных монокристаллов. Слои обладают лучшей однородностью распределения примесей и существенно меньшим содержанием неконтролируемых загрязнений. [2]

Эпитаксиальные слои для исследования распределения примесей, перешедших из подложек ( 0 01 и 0 001 Ом - см), выращивались при различных скоростях роста ( 0 27 - 3 7 м / мин), а температура подложек поддерживалась постоянной - 1270 С. [3]

Эпитаксиальные слои с малой концентрацией теллурида кадмия выращивались при более низких скоростях охлаждения ( 29 град / ч) с учетом условного коэффициента сегрегации, который был определен из предварительных опытов. [4]

Эпитаксиальные слои GaAs, выращенные в оптимальных условиях на подложках от монокристаллического слитка 1, имеют максимальное значение подвижности носителей - 100 000 сма / В-с при 77 К, тогда как в слоях GaAs, выращенных в тех же опытах на подложках от кристалла 2, подвижность носителей при 77 К составляла - 60000 см2 / В-с, При этом положение подложки в реакторе на значение подвижности не влияет ( ср. [5]

Наиболее совершенные эпитаксиальные слои образуются на грани ( 0001) В кристаллов SiC. [6]

Эпитаксиальные слои карбида кремния и твердых растворов на его основе могут быть получены всеми известными способами полупроводниковой технологии. В качестве подложек для эпитаксии используются кристаллы карбида кремния, нитрида алюминия, сапфира и кремния. Очень важное значение для технологии полупроводниковых и микроэлектронных приборов имеет гетеро-эпитаксия ЗС-SiC на кремнии. В этом случае для компенсации больших различий параметров решеток между ними ( около 20 %) на начальной стадии формируют буферный квазиаморфный слой. Толщина получаемых слоев достигает 30 мкм. [7]

Эпитаксиальные слои арсенид-фосфида галлия, полученные газотранспорт - [ ным методом. [8]

Получить эпитаксиальные слои Si с совершенной структурой при температуре ниже 1050 С, используя обычные методы подготовки подложек, не удается. Автор использовал двухтемпературную методику роста: осаждение начинали при температуре 1200 - 1250 С, спустя 1 мин, не прерывая осаждения, температуру понижали, и наращивание слоя продолжалось. Совершенство структуры слоев, полученных таким методом, объясняется тем, что осаждение происходит на свежевыращенную поверхность кремния, не имеющую загрязнений. [9]

Диаграмма 8 g - параметр. [10]

В методе МПЭ эпитаксиальные слои выращиваются осаждением на подложке атомов и молекул, потоки к-рых формируются в сверхвысоком вакууме. [11]

Легированные фосфором и сурьмой эпитаксиальные слои выращивались методом водородного восстановления тетрахлорида кремния в экспериментальной 10-позиционноп установке на подложках и ( 100 Ом-см) - и р ( Ю Ом-см) - типа. Материалом для подставок служил высокоомный кремний ( 200 - 400 Ом - см) и-типа. [12]

В заключение необходимо отметить, то эпитаксиальные слои характеризуются более высокой степенью чистоты и совершенством структуры, нежели объемные монокристаллы. [13]

Методом ПЖК выращивают нитевидные кристаллы и реже эпитаксиальные слои полупроводников. В последнем случае существуют трудности в получении монокристаллических слоев большой площади с однородным распределением свойств. [14]

Формирование тонких базовых областей вызывает необходимость иметь эпитаксиальные слои кремния с практически совершенной кристаллической решеткой без дислокаций и других дефектов упаковки. [15]

Страницы: 1 2 3 4