Эпитаксиальные слой
Cтраница 4
Если говорить о свойствах монокристаллических слоев кремния на сапфире и шпинели, то во многом они определяются качеством подложек. С улучшением качества АЬОз и AbOs-MgO улучшаются и эпитаксиальные слои: уменьшается плотность дефектов. [46]
Метод жидкофазной эпитаксии имеет много общего с методом изготовления сплавных р-л-переходов, широко используемых в технологии полупроводникового приборостроения. В отличие от последнего первый метод позволяет получать эпитаксиальные слои полупроводников большой площади толщиной от долей до сотен микрометров, легировать эпитаксиальные слои с заданным распределением примеси по толщине слоя; получать эпитаксиальные слои трех -, четырехкомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений с заданным распределением компонентов по толщине слоя; изготовлять многослойные эпитаксиальные гетероструктуры. [47]
 |
Распределение электронов в слоях, выращенных на сильнолегированных подложках без газового травления ( 7 и с полирующим газовым травлением ( 2 ( подложки АГЭТ418. [48] |
Изучение характера распределения легирующей примеси по толщине слоя, проведенное для случая наращивания на химически полированную подложку ( рис. 6, кривая 1) и на такую же подложку, подвергнутую газовому полирующему травлению ( кривая 2), показало, что в последнем случае наблюдается минимальная переходная область, которая, по-видимому, обусловлена уже не изменением морфологии поверхности, а главным образом автолегированием за счет сильнолегированной подложки. Для доказательства этого были проведены эксперименты по выращиванию слоев на слаболегированные эпитаксиальные слои, служившие подложками. Однако, если провести газовое травление пленки перед наращиванием, переходный слой не образуется ( см. рис. 7, б) и подвижность электронов не меняется за границей раздела слоев. [49]
 |
Зависимость скорости роста эпитаксиальных слоев и их твердых растворов из газовой фазы в системах с использованием МОС от температуры ( я и парциального давления МОС в ПГС ( б. [50] |
Ориентация подложки существенного влияния на скорость роста эпитаксиального слоя арсенида галлия не оказывает, по-видимому, вследствие того, что она на порядок ниже, чем в гидридном или хлоридном процессах. Полученные при 600 С со скоростью роста 0 2 мкм / мин эпитаксиальные слои арсенида галлия имеют rt 8 - 1014 см-3 и 140 - Ю4 см2 / ( В-с) при 77 К. МОС находят широкое применение для получения разнообразных твердых растворов на основе Д1ПВУ, например эпитаксиальных слоев GaxAi - xAs, входящих вместе с ар-сенидом галлия в состав гетероструктур для лазеров. [51]
 |
Зависимость плотности и размера верен поликристалла от температуры осаждения. 1 - размер зерна. s - плотность осадка. [52] |
Подтверждением теории габитусного профилирования Строителева является также и тот факт, что наиболее гладкие эпитаксиальные слои на подложках ориентации 100 в хлоридном процессе получаются при температуре 730 С в области свободного роста граней куба-тетраэдрических кристаллов. [53]
Метод жидкофазной эпитаксии имеет много общего с методом изготовления сплавных р-л-переходов, широко используемых в технологии полупроводникового приборостроения. В отличие от последнего первый метод позволяет получать эпитаксиальные слои полупроводников большой площади толщиной от долей до сотен микрометров, легировать эпитаксиальные слои с заданным распределением примеси по толщине слоя; получать эпитаксиальные слои трех -, четырехкомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений с заданным распределением компонентов по толщине слоя; изготовлять многослойные эпитаксиальные гетероструктуры. [54]
На рис. 9 и 10 показаны профили распределения Р и Sb, перешедших из подложек в эпитаксиальные слои при различных скоростях кристаллизации и Ту 1270 С. Характер профилей распределения как фосфора, так и сурьмы с увеличением скорости роста приобретает более пологий вид, а глубина проникновения примесей из подложек в эпитаксиальные слои увеличивается. [55]
Метод жидкофазной эпитаксии имеет много общего с методом изготовления сплавных р-л-переходов, широко используемых в технологии полупроводникового приборостроения. В отличие от последнего первый метод позволяет получать эпитаксиальные слои полупроводников большой площади толщиной от долей до сотен микрометров, легировать эпитаксиальные слои с заданным распределением примеси по толщине слоя; получать эпитаксиальные слои трех -, четырехкомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений с заданным распределением компонентов по толщине слоя; изготовлять многослойные эпитаксиальные гетероструктуры. [56]
Наиболее совершенным считается электроннолучевой способ нагрева, отчего такой метод получил название мо-лекулярно-лучевой эпитаксии. Этот метод позволяет в процессе осаждения контролировать структуру и состояние поверхности подложки, регулировать плотность молекулярного потока ( скорость роста кристалла), при помощи маски выполнять локальную кристаллизацию, получать резкие межслойные границы, выращивать сверхтонкие ( 1 - Й 0 нм) эпитаксиальные слои полупроводников, диэлектриков и металлов, создавать сверхрешетки - последовательность большого числа чередующихся слоев разного состава толщиной 5 - 5 - 10 нм, осуществлять многослойную застройку решетки. [57]
 |
Настольная установка гидромеха - [ IMAGE ] Настольная установка групповой нической обработки поверхности пластин химической обработки поверхности кремниевых пластин. [58] |
Одним из способов создания транзисторных структур, из которых формируются активные и пассивные компоненты, является эпи-таксиальное наращивание пленок. Эпитаксиальный метод наращивания пленок на поверхности полупроводниковых подложек широко используют при производстве интегральных микросхем. Эпитаксиальные слои позволяют существенно улучшить ряд параметров транзисторов и диодов. [59]
Страницы: 1 2 3 4