Эпитаксиальные слой

Cтраница 2

При tn 950 С по этим характеристикам эпитаксиальные слои GaP сравнимы с кристаллами, выращенными по методу плавающей зоны. [16]

Постоянная Холла для тонких слоев InSb при 280 С. [17]

Примером тонких кристаллических слоев высокого качества являются эпитаксиальные слои PbS, изготовленные Шуларом и др. [ 337, с. Они даже были использованы в магнетооптических измерениях. [18]

Формирование тонких базовых областей вызывает необходимость иметь эпитаксиальные слои кремния с практически совершенной кристаллической решеткой без дислокаций и других дефектов упаковки. [19]

Поэтому в настоящее время для этих целей используют эпитаксиальные слои, наносимые на сильнолегированную подложку с электропроводностью - типа. Многослойные структуры п - п-п удобны, во-первых, при создании невыпрямляющих электрических переходов между металлическими электродами и сильнолегированными слоями полупроводника. Во-вторых, пластина с такой структурой достаточно механически прочна при резке ее на отдельные кристаллы, при пайке выводов и монтаже в корпус. [20]

Поэтому в настоящее время для этих целей используют эпитаксиальные слои, наносимые на сильнолегированную подложку с электропроводностью / г-типа. Многослойные структуры п - п-п удобны, во-первых, при создании невыпрямляющих электрических переходов между металлическими электродами и сильнолегированными слоями полупроводника. Во-вторых пластина с такой структурой достаточно механически прочна при резке ее на отдельные кристаллы, при пайке выводов и монтаже в корпус. [21]

Проблема изоляции элементов ИМС легко решается, если использовать эпитаксиальные слои кремния, нанесенные на изолирующие подложки, например на подложки из лейкосапфира. [22]

Логаном, Уайтом и Вигманом [416], использовавшими легированные азотом эпитаксиальные слои, нанесенные на-выращенные из раствора подложки из GaP. При комнатной температуре была достигнута внешняя квантовая эффективность 0 43 % для светодиода с непросветленной поверхностью и 0 6 % при использовании покрытия из эпоксидной смолы. А-мм 2), то они соответствуют большей яркости, чем у лучших красных светодиодов из GaP, упомянутых выше. [23]

Перспективными материалами для создания излучателей также являются: наращиваемые на кремниевые подложки эпитаксиальные слои твердых растворов элементов IV группы, типа Sij GexC, Si yCy, Sn Ge, , для некоторых из которых реальны композиции, обладающие прямозонной структурой; квантоворазмерные композиции на основе кремния ( сверхрешетки с множественными квантовыми ямами в системе SiGe / Si); квантовые нити и квантовые точки, формируемые в кремниевой матрице на основе прямозонных полупроводников; кремниевые нанокристаллы. [24]

Схема устройства горизонтальной ( а и вертикальной ( б реакционных камер для эпитаксии. [25]

Наклонное положение пластин кремния по отношению к потоку - реагентов вызвано необходимостью получать равномерные по толщине эпитаксиальные слои. [26]

На рис. 9 и 10 показаны профили распределения Р и Sb, перешедших из подложек в эпитаксиальные слои при различных скоростях кристаллизации и Ту 1270 С. Характер профилей распределения как фосфора, так и сурьмы с увеличением скорости роста приобретает более пологий вид, а глубина проникновения примесей из подложек в эпитаксиальные слои увеличивается. [27]

Для увеличения информационной плотности накопителя методом ионного легирования создают высокоомные резисторы малой площади или используют в качестве резистив-ных областей высокоомные эпитаксиальные слои. В качестве высокоомных резисторов малой площади используют также сжатые диффузионные слои. [28]

В генераторах такой структуры на слой сравнительно высокоомного арсенида галлия, служащего рабочей частью генератора, наращивают г двух сторон эпитаксиальные слои относительно низкоомного арсенида галлия с электропроводностью n - типа. Эти высоколегированные слои служат переходными прослойками от рабочей части прибора к металлическим электродам. [29]

Зависимость толщины пленки CdxHgl xfe от температуры выращивания ( d 5 мм, г10 ч.| Зависимость толщины пленки Cd Hgi Te от расстояния между источником и подложкой ( Г600 С, 10 ч. [30]

Страницы: 1 2 3 4